RE：TSMCがメモリ市場に参入し、大手3社を混乱させるという主張 これは意味が通らない。私が知る限り、TSMCはこのプロジェクトに5年以上取り組んできたが、彼らが開発しているのが汎用DRAMであると仮定するのは誤りだ。TSMCにはDRAMのIPも特許もなく、関連技術も一切保有していない。 おそらく「3D DRAM」という用語が誤解を生んでいるのだ。 業界の専門家と話し合った結果、TSMCがDRAM市場に参入するという報道を正しく解釈するには、以下の通りが正しいと考えられる。 TSMCがこれまでに公表した研究から、その方向性がよくわかる。 2025年VLSIシンポジウムで、TSMCは酸化物半導体を用いたメモリ技術を発表した。このメモリセルは1トランジスタ1キャパシタ（1T1C）構成で、目的はこのメモリを先進的なロジックチップに統合し、プロセッサに低消費電力・低レイテンシのキャッシュを提供することである。 この設計の鍵となる特徴は、メモリアレイをロジックチップの後段配線（BEOL）の配線層に直接構築することである。従来のDRAMは別個のチップとして製造される。 先進的なロジックチップの配線層にメモリアレイを構築するために、TSMCは酸化物半導体チャネルを用いたセレクトトランジスタと、低温プロセスで製造されたキャパシタを採用した。 TSMCによると、メモリとロジックを単一ダイに統合した試作チップは0.75Vで動作し、データ保持時間は128msを超え、ランダム読み書きサイクル時間は8ns未満、耐久性は10¹⁴回以上だった。TSMCはこの技術を、SRAMよりも高い密度を実現しつつ、消費電力とレイテンシを低く抑えたプロセッサキャッシュとして位置づけている。 つまり、TSMCが生産するのは、SRAMに代わる次世代技術としての「3D DRAM」であり、大量生産されるものではない。 TSMCがDDRやLPDDRを製造するという主張をする者は、何にも理解していないのだ。