ChainCatcherの情報によると、SKハニックスは9日、次世代メモリである3D DRAM半導体の開発に受託製造プロセスを活用可能であると表明した。前日、同社は利川キャンパスのSupexセンターで開催された「2026 SKハニックス未来フォーラム」で、副社長の金慶勲と孫浩英が3D DRAMの主要技術方向として、DRAM周辺回路へのロジック受託製造プロセスの採用、データバス帯域幅の最大化、超短距離伝送などを提示した。3D DRAMは、従来平面に配置されていたメモリユニットを垂直に積層して集積度を向上させる次世代DRAMである。二人は、この技術を実現するには設計と発熱の問題だけでなく、微細接続、接合、プロセス統合などのパッケージング分野の課題も同時に解決する必要があると指摘した。前工程と後工程のパッケージング、受託製造とメモリ技術の境界が近づく中、既存分野を超えた共同最適化がより重要になると述べた。孫浩英は、3D技術がウェハーファクトリーとパッケージングの技術的境界を変えており、先進パッケージング技術の革新とともに、既存分野を超えた最適化と新たな協力体制を構築する必要があると語った。同テーマで発表した高麗大学の申昌煥教授は、3D DRAMは単なるチップの垂直積層ではなく、メモリとロジックの境界を打破する技術であると述べ、デバイス微細化が限界に近づき、システムとメモリ間のデータ移動による時間と消費電力の増加が顕著になる中で、3D技術への移行は避けられないとし、人工知能を活用して材料・デバイス・パッケージング・アーキテクチャの4分野を連携させる3D集積設計フレームワークの提案を行った。SKハニックス社長の郭魯正は挨拶の中で、過去のメモリ市場は誰がより速く走るかを競う直線道路だったが、現在は常に変化するカーブのような状況であり、内部能力に加え、外部環境の変化の速度と方向を的確に捉え柔軟に対応することが重要であると述べた。
SKハイニックス、ファウンダリプロセスを用いた3D DRAM開発を検討
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概要
SKハイニックスは2026年フューチャーフォーラムで、3D DRAMの開発計画を発表し、周辺回路のファウンドリプロセス、高速データバスリンク、超短距離伝送に焦点を当てました。課題には微細なインターコネクトと接合が含まれます。ソン・ホヨンは、3D技術がウェハとパッケージの境界を曖昧にし、新規CFT準拠の協力体制を促進していると述べました。シン教授は、3D DRAMがAI、材料、アーキテクチャを結びつけることで、リスクオン資産の成長を促す可能性があると指摘しました。
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