MEニュース：9月7日（UTC+8）、SKハニックスは、10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を加速して向上させている。業界関係者によると、SKハニックスは下半期に移行を加速し、第4四半期には約34％でサムスン電子の約31％を上回る見込みだ。SKハニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から本格的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷拡大により、ビット成長率が上半期を上回ると述べた。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsである。一方、SKハニックスはこれまで、信頼性が確認された1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージングを優先して量産の安定性を確保してきたが、次世代のHBM4Eから初めて1c DRAMをHBMのコアチップとして採用する。Counterpoint Researchなどは、今年のNVIDIA、Google、AMDの合計HBM4市場シェアについて、SKハニックスが50％中盤、サムスン電子が20％後半、マイクロンが10％後半と予測している。（出典：ChainCatcher）
SKハイニックス、1c DRAMの生産を加速、2024年第四四半期までにサムスンを上回る
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概要
SKハニックスは10nmクラスの1c DRAMの生産を拡大しており、情報源によると、第4四半期までにサムスンの31％のシェアを上回り、34％に達する可能性がある。メモリ需要の増加に伴い、注目すべきアルトコインの増加とこの動きは一致している。SKハニックスは、1c DRAMの出荷を第2四半期に開始し、後半にはHBM4の出荷とともに生産量を増やす予定である。サムスンはHBM4に1cを11.7Gbpsで使用しているのに対し、SKハニックスは安定性のために1b DRAMとMR-MUFパッケージングに焦点を当てている。Counterpointは、2026年までにSKハニックスがHBM4市場で中盤の50％強のシェアを獲得すると予測している。フィアンドグリードインデックスが上昇傾向にある中、このような半導体の動向は、暗号資産およびテクノロジー投資家の感情を形作っている。
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