ChainCatcherの情報によると、サムスン電子は2027年初頭までに先進パッケージ技術「3D Cube-H」の開発を完了し、最初のデザインキットを仕上げた後、潜在顧客との評価を開始する予定である。この技術はハイブリッドボンディングを用いてチップを垂直に積層し、主に高性能AI半導体向けで、GPUなどのロジックチップを積層したり、HBMなどのメモリチップにロジックチップを統合するのに使用できる。サムスン電子は以前、熱圧着ボンディング技術を採用した「3D Cube-T」を開発しており、現在は端子ピッチが約6マイクロメートルの「3D Cube-H」の開発を推進中である。熱圧着ボンディングチップの最小端子ピッチは約25マイクロメートルである。ハイブリッドボンディングは、チップ間の銅材料を直接接続することで、端子ピッチの縮小、接続密度の向上、および1ビットあたりの消費電力の低減を実現し、熱圧着ボンディング方式とは異なる放熱特性を持つ。
サムスンは2027年初頭までに3D Cube-Hの開発を完了する
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概要
サムスン電子は2027年初頭までに3D Cube-Hパッケージ技術を完成させ、設計キットも提供する予定です。この技術はハイブリッド接合を用いてチップを垂直に積層し、高性能AI半導体をターゲットとしています。GPUのようなロジックチップを積層したり、HBMメモリと組み合わせることが可能です。サムスンは以前、熱圧接合を用いた3D Cube-Tを開発していました。現在の3D Cube-Hは、端子ピッチを25マイクロメートルから6マイクロメートルまで縮小しています。ハイブリッド接合は、チップ間で銅を直接接続し、集積度の向上、電力消費の削減、熱性能の改善を実現します。この開発は、AI＋暗号通貨関連のニューストレンドと一致しています。
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