グローバルメモリETFが長鑫技術を追加、中国のDRAMリーダーが国際的な注目を集める

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8月3日、Roundhill Memory ETF(DRAM)はChangXin Technologyを上位10銘柄に追加し、その比率を2.52%としました。これにより、ETFはGigaDeviceのステークを減らし、その比率を1.51%に引き下げました。ChangXinは、このポートフォリオ内で最も比率の高い中国のストレージ企業となりました。2026年4月に上場したこのETFは、SamsungやMicronなどの主要企業を保有しています。ChangXinの株式はSTAR市場での上場初日に465.82%上昇し、8月3日終値は54.99人民元でした。Omdiaは、2025年第4四半期までにChangXinが世界のDRAM市場の7.67%を占めると予測しています。一方、レバレッジ型ファンドでは資金の流出が見られ、モルガン・スタンレーはAIおよび産業サイクル投資の新たなエントリーポイントを提案しています。

BlockBeatsの情報によると、8月3日、世界初のメモリーテーマ専用ETFであるRoundhill Memory ETF(DRAM)が最新のポートフォリオ調整を実施し、中国のDRAMメーカーであるChangXin Memory Technologiesを上位10位の保有銘柄に追加。その割合は2.52%で、第8位の大型保有銘柄となった。


データによると、DRAMは同期間中にA株市場のストレージ企業であるGigaDeviceの保有比率を引き下げ、そのウェイトは2.91%から1.51%に低下し、順位は10位に下がりました。ChangXin Technologiesが、このETF内で最もウェイトの高い中国のストレージ銘柄となりました。


市場関係者によると、長鑫科技がグローバルストレージテーマETFに組み込まれたことは、国際資本が中国のDRAM産業への注目をさらに高めていることを意味する。現在、長鑫科技はサムスン電子、マイクロンテクノロジー、SKハニックスなどの世界主要ストレージメーカーと同一の投資ポートフォリオに含まれている。


長鑫科技は7月27日に科创板に上場し、発行価格は8.66元、上場初日の終値は49元で、1日当たりの上昇率は465.82%でした。8月3日の終値時点では、同社の株価は54.99元、総時価総額は約3.68兆元です。Omdiaのデータによると、2025年第4四半期の長鑫科技のDRAM世界市場シェアは約7.67%で、世界第4位です。


Roundhill Memory ETFは2026年4月2日に米国Cboe BZX取引所に上場し、世界初のメモリーチップ分野に特化したテーマ型ETFです。データによると、上場から3か月で資産規模が250億ドルを突破し、上位10銘柄にはサムスン電子、マイクロン・テクノロジー、SKハイニックス、ウェスタン・デジタル、シーゲート・テクノロジー、サンディスク、キオクシア・ホールディングス、チャイナ・メモリー、ナナン・テクノロジー、GigaDeviceが含まれています。


最近、世界的ストレージチップ株が調整に入り、8月3日に韓国綜合株価指数は5.12%下落し、サムスン電子とSKハニックスの株価はそれぞれ約9%下落しました。モルガン・スタンレーは、最近のレバレッジ資金の清算が、AIおよび産業サイクル投資に新たな参入機会をもたらす可能性があると見ています。

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