DRAMメモリETF、 ChangXin Technologyを2.52%の比率で追加

KuCoinFlash

公開時期： 2026/08/02 3:33:37

概要

DRAMメモリETFは、長鑫技術を2.52%の比率で追加した後、ETFへの流入が見られた。このETFは2026年4月2日に開始され、資産総額は245.5億ドルで、ピーク時の190%から161.5%のリターンを記録している。サムスン、マイクロン、SKハニックスがポートフォリオの73%以上を占めている。長鑫技術はA株市場の主要メモリ企業であり、最新の追加銘柄である。ETFからの流出がこのセクターに圧力を与えてきたが、このETFはメモリ需要への主要な投資手段であり続けている。

Odaily星球日報によると、チェーンアナリストのAi姨はXプラットフォームで、米国初の純粋なストレージETFであるDRAM Memory ETFに長鑫科技が採用されたと投稿しました。このETFは2026年4月2日に設立され、規模は245.5億ドルで、リターン率は一時190％に達しましたが、ストレージセクターの調整後も161.5％を維持しています。サムスン、マイクロン、SKハニックスの合計比率は73％を超え、兆易創新に続き、A株市場のストレージリーダーである長鑫科技が再び採用され、その比率は2.52％です。

長鑫科技は科创板上場後も時価総額が3兆元以上を維持し、一時4兆元を突破した。来週月曜日から、価格変動制限のない期間が終了し、通常の取引段階に入る。

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