MEニュース:7月25日(UTC+8)、中国国内の記憶芯片リーダーである長鑫科技(長鑫存储/CXMT)は、来週月曜日(7月27日)に上海証券取引所の科创板で上場を予定しており、初期時価総額は約5800億元と見込まれている。長鑫科技は、世界のDRAMサプライヤーとして第3位に躍り出る可能性がある。以下は、上場後の時価総額に関する予測のまとめである: UBSの最新レポートでは、DRAM市場は2028年第二四半期まで需要が供給を上回る見通しであり、この長期的な好況が長鑫科技の兆円級、さらにはそれ以上の市場評価を支える鍵となる。 深度科技研究院院長の張孝栄氏は、長鑫科技が今年の純利益を約1000億元と仮定した場合、適正PERは20〜25倍となり、業界の好況を加味すれば、上場後は兆円級の時価総額を達成する可能性が高いと指摘。 CNBCテクノロジーアナリストのダニエル・ハイラー氏は、長鑫科技がモバイルメモリ市場における深刻な不足という有利な立場にあり、世界の三大ストレージ大手が高収益のHBM分野へ生産能力を集中させているため、汎用DRAMの供給がさらに圧縮される中、中国DRAMリーダーとして長鑫科技はこの構造的機会を通じて大幅な成長と評価の再評価を実現できると見ている。 資本市場のベテランである王骥躍氏は、長鑫科技の上場後の評価額が2〜3兆元に達すると予測し、SKハニックスと比較すると、現在のサムスン電子とSKハニックスの最新TTMPERはそれぞれ21.7倍、21.3倍である。 シノペック証券のレポートでは、記憶装置市場の需給不均衡は少なくとも2027年まで継続し、価格上昇は2026年全年にわたって続くと予測。この業界サイクルの強化により、機関投資家は長鑫科技の上場後の時価総額を2〜3兆元と楽観的に見ている。 ロイターの見解では、その時価総額は3兆元人民元(約4430億ドル)を超える可能性が高く、AI上昇サイクルと技術自立の推進により、5兆元に達する可能性もある。 複数の中国国内証券会社は一斉に、長鑫科技の上場後の時価総額が2〜3兆元に達する可能性が高いと予測。その主な根拠には、AI計算能力に伴う長期的なDRAM/HBM需要、中国国内で唯一のDRAM生産プラットフォームとしての性質、国家大基金の支援、および国産代替ロジックが挙げられ、一部の試算では初値の適正レンジは2〜2.5兆元とされている。 フィナンシャル・タイムズのアナリストは、AIによる記憶チップ需要のブームと同社がグローバルDRAM市場でのシェアを急速に拡大していることを受けて、長鑫科技の評価額が3兆元人民元にまで急騰する可能性があると予測。国際的なアナリストは同社の成長ストーリーと構造的機会に対して楽観的な評価を示している。 一部の楽観的な機関および中国国内証券会社のエレクトロニクス業界アナリストは、好況環境とA株半導体の希少性プレミアムを背景に、長鑫科技の時価総額が一時的に3兆元を超え、4兆元に達する可能性があると指摘。極端なシナリオではさらに高くなる可能性があり、この見方は2026年の高純利益予測と国際大手との成長株評価ロジックに基づいている。 第三者研究(出典:BlockBeats)
長鑫記憶科技のIPOは3〜5兆人民元の時価総額に達すると予想される
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2026年7月27日の ChangXin Memory Tech のIPOは、上場前評価額が5,800億元人民元と、高いリスク対リワード比を提供します。アナリストは上場後の評価額を2兆~5兆元人民元と予測しており、一部では4兆元人民元がピークと見ています。DRAMの供給不足とAI需要が市場のモメンタムを後押しする中、株価のサポートレベルとレジスタンスレベルが試されることになるでしょう。
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