TSMC sẽ áp dụng máy lithography EUV High NA của ASML trong sản xuất hàng loạt từ năm 2030

ChainCatcher đưa tin, vào ngày 8 tháng 9, TSMC tuyên bố sẽ bắt đầu áp dụng thiết bị lithography cực tím cực đoan (EUV) mới “high-NA” do ASML của Hà Lan sản xuất trong sản xuất hàng loạt từ năm 2030. Cùng ngày, hai bên cũng cho biết sẽ hợp tác thực hiện các cải tiến thiết bị high-NA trên toàn ngành. ASML độc quyền cung cấp các thiết bị lithography EUV dùng để tạo ra các mạch siêu nhỏ ở cấp độ nanomet, và đã bắt đầu giao hàng các thiết bị high-NA có khả năng tạo mạch mảnh hơn kể từ tháng 12 năm 2023. Intel đã triển khai thiết bị high-NA, trong khi TSMC trước đó đã trì hoãn việc áp dụng hàng loạt do chi phí cao và các lý do khác. TSMC và ASML sẽ khởi động một dự án toàn ngành nhằm mở rộng kích thước của mask quang học – bản mẫu của mạch điện – từ hình vuông 6 inch (khoảng 15 cm) hiện tại lên hình vuông 12 inch, đồng thời phát triển thiết bị high-NA và các linh kiện liên quan phù hợp với mask kích thước lớn. Kế hoạch là thiết lập dây chuyền thử nghiệm mask kích thước lớn trước năm 2031 và đưa thiết bị high-NA tương thích với mask kích thước lớn vào trạng thái sẵn sàng sản xuất bán dẫn tiên tiến trước năm 2033. Các nhà sản xuất bán dẫn chính và các doanh nghiệp mask đã bày tỏ sự quan tâm tham gia. Thiết bị high-NA có thể tạo ra các mạch mảnh hơn, nhưng diện tích có thể phơi sáng trong một lần giảm xuống còn một nửa so với thiết bị truyền thống; khi vẽ mạch chip lớn, cần thực hiện nhiều lần phơi sáng, khiến quy trình trở nên phức tạp và chi phí tăng cao. Việc mở rộng kích thước mask quang học có thể tăng diện tích phơi sáng và giảm chi phí. Chủ tịch kiêm CEO của TSMC, ông C.C. Wei, cho biết vào ngày hôm đó rằng công ty sẽ tập hợp chuyên môn toàn ngành để tiếp tục thúc đẩy đổi mới công nghệ nhằm làm cho các công nghệ tiên tiến có thể được sử dụng rộng rãi và truyền tải lợi ích của chúng.