ChainCatcher tin tức, ngày 9 tháng 9, SK Hynix cho biết việc phát triển bộ nhớ thế hệ tiếp theo, 3D DRAM, có thể tận dụng quy trình gia công. Ngày trước đó, tại Diễn đàn Tương lai SK Hynix 2026 tổ chức tại trung tâm Supex, khu vực Yeoju, Phó Chủ tịch Kim Kyung-hoon và Son Ho-young đã nêu ra các hướng công nghệ chính của 3D DRAM, bao gồm sử dụng quy trình gia công logic cho mạch外围 của DRAM, tối đa hóa băng thông đường dữ liệu và truyền tải khoảng cách cực ngắn. 3D DRAM là loại DRAM thế hệ tiếp theo, trong đó các ô nhớ được bố trí phẳng trước đây được xếp chồng theo chiều dọc để tăng mật độ tích hợp. Hai ông cho biết, để hiện thực hóa công nghệ này, ngoài các vấn đề thiết kế và nhiệt, còn cần giải quyết đồng thời các thách thức trong lĩnh vực đóng gói như kết nối vi mô, liên kết và tích hợp quy trình. Khi ranh giới giữa công nghệ tiền xử lý và hậu xử lý đóng gói, giữa gia công và bộ nhớ ngày càng mờ nhạt, việc tối ưu hóa chung vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện tại sẽ trở nên quan trọng hơn. Son Ho-young cho biết công nghệ 3D đang thay đổi ranh giới kỹ thuật giữa nhà máy bán dẫn và đóng gói, cần cùng với sự đổi mới trong công nghệ đóng gói tiên tiến, xây dựng hệ thống tối ưu hóa và hợp tác mới vượt ra ngoài các lĩnh vực hiện có. Giáo sư Shin Chang-hwan từ Đại học Korea, cũng trình bày cùng chủ đề, cho rằng 3D DRAM không chỉ là việc xếp chồng chip theo chiều dọc, mà còn là công nghệ phá vỡ ranh giới giữa bộ nhớ và logic; khi độ tinh vi của thiết bị tiến gần đến giới hạn và thời gian cùng công suất tiêu thụ do di chuyển dữ liệu giữa hệ thống và bộ nhớ ngày càng tăng, việc chuyển sang công nghệ 3D là không thể tránh khỏi, đồng thời đề xuất một khung thiết kế tích hợp 3D kết nối bốn lĩnh vực: vật liệu, thiết bị, đóng gói và kiến trúc thông qua trí tuệ nhân tạo. Trong bài phát biểu khai mạc, Tổng giám đốc SK Hynix Kwon No-jung cho biết, trước đây thị trường bộ nhớ giống như một con đường thẳng nơi mọi người cạnh tranh ai chạy nhanh hơn, nhưng hiện nay nó giống như những khúc cua thay đổi liên tục; ngoài năng lực nội bộ, việc nắm bắt tốc độ và hướng thay đổi của môi trường bên ngoài và thích ứng linh hoạt cũng rất quan trọng.
SK Hynix đang tìm hiểu phát triển DRAM 3D bằng quy trình foundry
ChaincatcherChia sẻ
Tóm tắt
SK Hynix đã trình bày kế hoạch phát triển 3D DRAM tại Diễn đàn Tương lai 2026, tập trung vào các quy trình foundry cho mạch vi xử lý, liên kết bus dữ liệu tốc độ cao và truyền dẫn siêu ngắn. Những thách thức bao gồm các kết nối tinh vi và bonding. Son Ho-young cho biết công nghệ 3D đang làm mờ ranh giới giữa wafer và đóng gói, thúc đẩy sự hợp tác mới tuân thủ CFT. Giáo sư Shin lưu ý rằng 3D DRAM có thể tăng cường các tài sản ưa chuộng rủi ro bằng cách kết nối AI, vật liệu và kiến trúc.
Nguồn:Hiển thị bản gốc
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể được lấy từ bên thứ ba và không nhất thiết phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của KuCoin. Nội dung này chỉ được cung cấp cho mục đích thông tin chung, không có bất kỳ đại diện hay bảo đảm nào dưới bất kỳ hình thức nào và cũng không được hiểu là lời khuyên tài chính hay đầu tư. KuCoin sẽ không chịu trách nhiệm về bất kỳ sai sót hoặc thiếu sót nào hoặc về bất kỳ kết quả nào phát sinh từ việc sử dụng thông tin này.
Việc đầu tư vào tài sản kỹ thuật số có thể tiềm ẩn nhiều rủi ro. Vui lòng đánh giá cẩn thận rủi ro của sản phẩm và khả năng chấp nhận rủi ro của bạn dựa trên hoàn cảnh tài chính của chính bạn. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo Điều khoản sử dụng và Tiết lộ rủi ro của chúng tôi.