Odaily Planet Daily tin: SK Hynix và SanDisk đã công bố tiêu chuẩn đầu tiên cho công nghệ lưu trữ thế hệ tiếp theo dựa trên NAND flash, gọi là High Bandwidth Flash (HBF). SK Hynix đã trình bày tiêu chuẩn này tại sự kiện FMS 2026 diễn ra từ ngày 4 đến 6 tháng 8 tại Santa Clara, California, Hoa Kỳ.
HBF xếp chồng NAND flash theo cách xếp chồng dọc tương tự bộ nhớ băng thông cao (HBM) để tăng dung lượng và tốc độ truyền dữ liệu. Thông số kỹ thuật được định nghĩa theo hai cấu hình xếp chồng: 8 lớp và 16 lớp NAND die, dung lượng tối đa lên đến 512GB, băng thông chia làm ba cấp độ, hỗ trợ từ 0,4TB đến 3,0TB mỗi giây.
HBF sử dụng chuẩn UCIe của ngành để kết nối với các loại bộ xử lý khác nhau như GPU, CPU. Tiêu chuẩn này được công khai bởi Tổ chức Hợp tác Công nghệ Trung tâm Dữ liệu Mở (OCP), và liên minh HBF hiện bao gồm Google và công ty bán dẫn AI Tenstorrent.
SK Hynix cũng sẽ lần đầu tiên công khai các wafer và sản phẩm NAND 4D 375 lớp thế hệ thứ 10 (V10) đang được phát triển trong sự kiện này, và dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt các eSSD doanh nghiệp hiệu năng cao, dung lượng lớn sử dụng công nghệ này vào đầu năm tới.