Samsung công bố BV-NAND và zHBM dành cho AI, tuyên bố mật độ cao gấp 10 lần so với HBM5
KuCoinFlashChia sẻ
Samsung đã tiết lộ các giải pháp bộ nhớ BV-NAND và zHBM tại Future Memory Summit, nhắm vào các ứng dụng AI với mật độ cao gấp 10 lần so với HBM5. Bản mẫu BV-NAND, dựa trên MetaEra, sử dụng công nghệ dán wafer với hơn 400 lớp, mang lại mật độ cao hơn 58% và hiệu suất nhanh hơn so với V9 NAND. Các khái niệm zHBM và zNAND-O xếp chồng bộ nhớ theo chiều dọc trên các chip AI để tăng băng thông và hiệu quả. Với chỉ số fear and greed thể hiện sự lạc quan thận trọng, các altcoin cần theo dõi có thể hưởng lợi từ những tiến bộ phần cứng này. Samsung tuyên bố hiệu quả năng lượng tốt hơn 3 lần và điện trở nhiệt thấp hơn 50%.
Nguồn:Hiển thị bản gốc
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể được lấy từ bên thứ ba và không nhất thiết phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của KuCoin. Nội dung này chỉ được cung cấp cho mục đích thông tin chung, không có bất kỳ đại diện hay bảo đảm nào dưới bất kỳ hình thức nào và cũng không được hiểu là lời khuyên tài chính hay đầu tư. KuCoin sẽ không chịu trách nhiệm về bất kỳ sai sót hoặc thiếu sót nào hoặc về bất kỳ kết quả nào phát sinh từ việc sử dụng thông tin này.
Việc đầu tư vào tài sản kỹ thuật số có thể tiềm ẩn nhiều rủi ro. Vui lòng đánh giá cẩn thận rủi ro của sản phẩm và khả năng chấp nhận rủi ro của bạn dựa trên hoàn cảnh tài chính của chính bạn. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo Điều khoản sử dụng và Tiết lộ rủi ro của chúng tôi.