Samsung và SK Hynix sẽ tăng sản xuất NAND tại Trung Quốc thông qua đầu tư thiết bị

ChainCatcher tin tức, theo báo cáo của ZDNet Korea, Samsung Electronics và SK Hynix dự kiến sẽ tiếp tục đầu tư thiết bị vào các dây chuyền sản xuất NAND flash tại Trung Quốc cho đến năm tới nhằm củng cố các trung tâm sản xuất tại địa phương. Từ đầu năm nay, Samsung đã tiến hành đầu tư chuyển đổi sang V9 NAND trên dây chuyền X2 tại Tây An, sản phẩm này sử dụng công nghệ tiên tiến với khoảng 280 lớp xếp chồng, dự kiến đạt công suất sản xuất 40.000 đến 50.000 wafer mỗi tháng; để đảm bảo sản xuất ổn định, công ty đã xác định kế hoạch đầu tư bổ sung, trọng tâm là bổ sung thiết bị khắc, các đơn đặt hàng mua sắm liên quan có khả năng được xác định vào cuối năm, và khoản đầu tư bổ sung dự kiến sẽ được thực hiện từ nửa sau năm tới. SK Hynix kể từ quý III năm nay đã tiến hành đầu tư thiết bị để nâng cấp sản phẩm NAND tại Nhà máy Số 2 Đại Liên, quy mô đang được thảo luận tương đương khoảng 30.000 wafer mỗi tháng, các thiết bị sản xuất then chốt sẽ lần lượt được đưa vào từ tháng tới và kế hoạch hoàn thành lắp đặt trước nửa đầu năm tới. Nhà máy Đại Liên là tài sản mà công ty tiếp nhận sau khi mua lại bộ phận NAND của Intel vào nửa sau năm 2020, từng tổ chức lễ khởi công Nhà máy Số 2 để mở rộng sản xuất vào năm 2022, nhưng sau đó do điều kiện thị trường và các yếu tố khác đã tạm hoãn đầu tư thiết bị, hiện nay việc đầu tư đã được khởi động lại. Các chuyên gia ngành cho biết, các biện pháp trên nhằm mở rộng dần công suất NAND tiên tiến trong lãnh thổ Trung Quốc để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng cao về bộ nhớ cao cấp trong các lĩnh vực như máy chủ trí tuệ nhân tạo.