Theo tin tức từ Huoxing Caijing, Samsung Electronics và SK Hynix của Hàn Quốc đang tăng tốc triển khai HBM và công nghệ lưu trữ thế hệ tiếp theo để duy trì lợi thế dẫn đầu. Samsung Electronics cho biết, chi phí nghiên cứu và phát triển trong quý hai đạt mức kỷ lục 1.600 tỷ won Hàn Quốc (khoảng 11,6 tỷ USD), và kế hoạch mở rộng đầu tư vào các sản phẩm lưu trữ cao cấp như HBM4, HBM4E, DDR5. SK Hynix đang phát triển các công nghệ thế hệ tiếp theo như HBM5, hybrid bonding và iHBM, với dự kiến chi tiêu vốn năm nay đạt 40.000 tỷ won Hàn Quốc (khoảng 32,6 tỷ USD).
Samsung và SK Hynix tăng cường nghiên cứu và phát triển cũng như đầu tư vào HBM và công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo
MarsBitChia sẻ
Tóm tắt
Trong tin tức tiền điện tử mới nhất, Samsung và SK Hynix đang tăng cường nghiên cứu và phát triển cũng như đầu tư vào HBM và công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo. Samsung đã chi 16 nghìn tỷ KRW (116 tỷ USD) cho R&D trong quý II và đang mở rộng dòng sản phẩm lưu trữ cao cấp, bao gồm HBM4, HBM4E và DDR5. SK Hynix đang phát triển HBM5, công nghệ hybrid bonding và iHBM, với chi phí vốn dự kiến 40 nghìn tỷ KRW (326 tỷ USD) trong năm nay.
Nguồn:Hiển thị bản gốc
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể được lấy từ bên thứ ba và không nhất thiết phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của KuCoin. Nội dung này chỉ được cung cấp cho mục đích thông tin chung, không có bất kỳ đại diện hay bảo đảm nào dưới bất kỳ hình thức nào và cũng không được hiểu là lời khuyên tài chính hay đầu tư. KuCoin sẽ không chịu trách nhiệm về bất kỳ sai sót hoặc thiếu sót nào hoặc về bất kỳ kết quả nào phát sinh từ việc sử dụng thông tin này.
Việc đầu tư vào tài sản kỹ thuật số có thể tiềm ẩn nhiều rủi ro. Vui lòng đánh giá cẩn thận rủi ro của sản phẩm và khả năng chấp nhận rủi ro của bạn dựa trên hoàn cảnh tài chính của chính bạn. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo Điều khoản sử dụng và Tiết lộ rủi ro của chúng tôi.