BlockBeats tin tức, ngày 9 tháng 9, theo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics sẽ hợp tác với ASML – nhà sản xuất thiết bị lithography lớn nhất thế giới – để phát triển công nghệ lithography cực tím (EUV) có độ mở số cao (High-NA). Samsung đang tham gia vào một nỗ lực nhằm thúc đẩy sự thay đổi tiêu chuẩn ngành, chuyển từ tấm mask quang 6 inch được sử dụng từ những năm 1980 sang phiên bản 12 inch, đồng thời nỗ lực trở thành doanh nghiệp đầu tiên xây dựng hệ thống sản xuất hàng loạt DRAM dựa trên thiết bị High-NA EUV.
Samsung dự kiến bắt đầu áp dụng thiết bị EUV NA cao vào sản xuất DRAM từ năm 2028, sau đó mở rộng công nghệ này sang quy trình logic tiên tiến 1,4 nm để thúc đẩy hoạt động sản xuất wafer của họ. Việc mở rộng kích thước mask nhằm bù đắp các hạn chế của công nghệ EUV. Số mở của EUV NA cao cao hơn 66% so với EUV truyền thống, cho phép tạo ra các mẫu mạch tinh vi hơn. Việc thay thế mask 6 inch hiện tại bằng mask 12 inch có thể tăng hiệu quả sản xuất tại nhà máy và giảm chi phí sản xuất chip.