Mục tiêu tự chủ bán dẫn của Trung Quốc vừa nhận được một liều adrenaline. Naura Technology Group, nhà sản xuất thiết bị bán dẫn nội địa lớn nhất nước này, cho biết đã đạt được bước đột phá có thể hỗ trợ đáng kể ChangXin Memory Technologies (CXMT) trong việc sản xuất chip 3D DRAM, một loại bộ nhớ tiên tiến mà cho đến nay vẫn rất khó sản xuất mà không có công cụ phương Tây.
CXMT, nhà sản xuất DRAM lớn thứ tư thế giới với khoảng 7,7% thị phần toàn cầu, đã đang tạo đà tăng trưởng dù hoạt động dưới bóng của các hạn chế xuất khẩu của Mỹ, cấm tiếp cận các thiết bị tiên tiến như máy lithography EUV.
Điều mà Naura mang đến
Naura chưa công khai các chi tiết cụ thể về các quy trình, tiêu chuẩn hiệu suất hoặc lịch trình sản xuất liên quan đến đột phá đã công bố. Những gì được biết là công việc của công ty tập trung vào việc hỗ trợ sản xuất 3D DRAM và nâng cao khả năng xếp chồng bộ nhớ băng thông cao (HBM), cả hai đều rất quan trọng đối với các tác vụ tính toán thế hệ tiếp theo như đào tạo và suy luận AI.
Đối với CXMT, khả năng tiếp cận thiết bị này trong nước thay vì nhập khẩu từ các công ty như Applied Materials, Lam Research hoặc ASML đã thay đổi hoàn toàn tính toán. Các lệnh trừng phạt của Mỹ đã khiến các nhà sản xuất chip Trung Quốc ngày càng khó tiếp cận các công cụ nước ngoài tiên tiến nhất, tạo ra điểm nghẽn làm hạn chế tốc độ mở rộng của các công ty như CXMT.
Sự tăng trưởng nhanh chóng của CXMT
CXMT vận hành nhiều cơ sở sản xuất DRAM 12 inch với tổng công suất gần đây khoảng 300.000 wafer mỗi tháng và có kế hoạch tăng gấp đôi con số này. Công ty đã đạt tỷ lệ sản xuất vượt quá 90% đối với một số sản phẩm DDR5, một chỉ số giúp nó cạnh tranh trực tiếp với các ông lớn trong ngành bộ nhớ như Samsung, SK Hynix và Micron.
Các module DDR5 của CXMT đã thể hiện hiệu suất cạnh tranh trên các nền tảng AMD. Việc công ty niêm yết IPO năm 2026 trên Sở Giao dịch Chứng khoán Thượng Hải đã huy động khoảng 57,9 tỷ nhân dân tệ, với số tiền thu được dành để mở rộng dây chuyền sản xuất wafer DRAM và nâng cấp quy trình sản xuất.
CXMT cũng đang nhắm đến việc sản xuất hàng loạt HBM3 vào cuối năm 2026. Bộ nhớ băng thông cao là nhiên liệu giúp vận hành các bộ tăng tốc AI như H100 của Nvidia và các thế hệ kế tiếp. SK Hynix hiện đang thống trị thị trường HBM.
Bối cảnh các lệnh trừng phạt
Từ năm 2022, Hoa Kỳ đã từng bước siết chặt các biện pháp kiểm soát xuất khẩu công nghệ bán dẫn sang Trung Quốc, hạn chế cả chip hoàn chỉnh lẫn thiết bị dùng để sản xuất chúng. Các công ty Trung Quốc vốn có thể vui vẻ mua thiết bị của Mỹ hoặc Hà Lan trong thêm một thập kỷ nữa hiện đang chịu áp lực lớn để phát triển các giải pháp nội địa. Naura nằm ở trung tâm của nỗ lực này.
Điều này có nghĩa gì đối với thị trường bộ nhớ
Thị trường DRAM toàn cầu bị chi phối bởi ba cái tên lớn: Samsung, SK Hynix và Micron. Thị phần 7,7% của CXMT đã khiến nó trở thành đối thủ thứ tư đáng kể, và bất kỳ sự tăng tốc nào trong khả năng DRAM 3D hoặc HBM của nó sẽ làm gia tăng áp lực về giá trên toàn ngành.
Đối với Micron, công ty có mối quan hệ phức tạp riêng với thị trường Trung Quốc sau khi bị cấm một phần trong các khoản mua sắm chính phủ, sự xuất hiện của một đối thủ nội địa mạnh hơn là một phát triển không mong muốn.
Mục tiêu HBM3 của CXMT vào cuối năm 2026 là đầy tham vọng nhưng không phải không thể thực hiện được, dựa trên đà phát triển hiện tại. Việc thiết bị của Naura có thể đáp ứng độ chính xác cần thiết cho các quy trình tiên tiến này sẽ là yếu tố then chốt.