Kioxia và SanDisk ra mắt NAND QLC 332 lớp với giao diện 4800MT/s

Theo tin tức từ Huoxing Caijing, ngày 5 tháng 8, Kioxia và SanDisk chính thức ra mắt chip flash NAND 3D QLC BiCS10 mới nhất tại Hội nghị Tương lai của Bộ nhớ và Lưu trữ (FMS), được mệnh danh là sản phẩm 3D NAND có mật độ lưu trữ cao nhất trên thế giới hiện nay đã được chính thức đưa ra thị trường. Theo giới thiệu, chip này sử dụng cấu trúc xếp chồng 332 lớp, đạt mật độ lưu trữ 37 Gb/mm² trên đơn vị diện tích, tích hợp giao diện tốc độ cao lên đến 4800 MT/s và hỗ trợ tính năng Độc lập Lệnh và Địa chỉ (SCA), chủ yếu nhắm đến thị trường SSD cấp trung tâm dữ liệu dung lượng cao. So với sản phẩm BiCS10 3D TLC NAND trước đó do hai công ty này phát hành, mật độ lưu trữ vượt quá 29 Gb/mm², phiên bản QLC NAND mới này tiếp tục nâng cao mật độ dung lượng lưu trữ cho trung tâm dữ liệu. Các chuyên gia trong ngành dự đoán rằng, trong điều kiện sử dụng kích thước chip và số lượng ô lưu trữ tương tự, dung lượng của chip này có thể đạt khoảng 1,33 Tb, tuy nhiên nhà sản xuất chưa công bố thông số dung lượng cụ thể. Để đáp ứng nhu cầu về hiệu năng cao và tiêu thụ điện năng thấp của trung tâm dữ liệu, Kioxia và SanDisk còn áp dụng công nghệ cách ly tiêu thụ điện năng thấp với đầu cuối hút thấp (PI-LTT), vừa cải thiện tính toàn vẹn tín hiệu tốc độ cao vừa giảm công suất đầu ra. Hai công ty cho biết, dựa trên quy trình sản xuất BiCS10 mới nhất, NAND QLC thế hệ mới không chỉ đạt mật độ bit cao hơn mà còn có tiềm năng giảm chi phí sản xuất sau khi tăng công suất, từ đó hỗ trợ các SSD dung lượng cao hơn thâm nhập thị trường với giá cả cạnh tranh hơn.