Về tuyên bố rằng TSMC sẽ gia nhập thị trường bộ nhớ và làm xáo trộn ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn Điều này không hợp lý. Theo như tôi biết, TSMC đã làm việc trên dự án này hơn năm năm, nhưng sẽ là sai lầm khi cho rằng họ đang xây dựng DRAM thông thường. TSMC không có IP DRAM, không có bằng sáng chế DRAM, và không có bất kỳ công nghệ liên quan nào. Tôi cho rằng thuật ngữ “3D DRAM” là nguyên nhân gây ra sự hiểu lầm. Sau khi trao đổi với các chuyên gia trong ngành, tôi tin rằng cách hiểu chính xác về báo cáo TSMC gia nhập thị trường DRAM là như sau: Nghiên cứu trước đây của TSMC đã cho thấy rõ hướng đi của họ. Tại Hội nghị VLSI 2025, TSMC đã trình bày một công nghệ bộ nhớ dựa trên bán dẫn oxit, sử dụng ô tế bào gồm một transistor và một tụ điện (1T1C). Mục tiêu là tích hợp bộ nhớ này vào các chip logic tiên tiến, cung cấp cho bộ xử lý một bộ nhớ đệm có công suất thấp và độ trễ thấp. Đặc điểm chính của thiết kế này là mảng bộ nhớ được xây dựng trực tiếp vào các lớp kết nối BEOL (back end of line) của chip logic. DRAM truyền thống được sản xuất như một chip riêng biệt. Để xây dựng mảng bộ nhớ trong các lớp kết nối của chip logic tiên tiến, TSMC sử dụng transistor chọn có kênh bán dẫn oxit và tụ điện được chế tạo bằng quy trình nhiệt độ thấp. Theo TSMC, chip thử nghiệm, tích hợp bộ nhớ và logic trên một die duy nhất, hoạt động ở điện áp 0,75V. Thời gian giữ dữ liệu vượt quá 128ms, thời gian chu kỳ đọc/ghi ngẫu nhiên dưới 8ns và độ bền trên 10¹⁴ chu kỳ. TSMC định vị công nghệ này như một bộ nhớ đệm bộ xử lý, cung cấp mật độ cao hơn SRAM trong khi vẫn duy trì mức tiêu thụ điện năng và độ trễ thấp. Do đó, TSMC sẽ sản xuất 3D DRAM như một công nghệ thế hệ tiếp theo nhằm thay thế SRAM. Và cũng không sản xuất với quy mô lớn. Bất kỳ ai nói rằng TSMC sẽ sản xuất DDR hoặc LPDDR đều hoàn toàn không hiểu gì về vấn đề này.