ChainThink thông báo, Samsung Electronics đã bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất hàng loạt kết nối hỗn hợp Die-to-Wafer tại nhà máy P5 Pyeongtaek, nhằm phục vụ đóng gói tiên tiến cho HBM và linh kiện logic thế hệ tiếp theo.
Về thiết bị, Samsung ưu tiên Besi của Hà Lan và kế hoạch mua khoảng 50 máy hàn hỗn hợp, mỗi máy khoảng 6 tỷ won (khoảng 4,3 triệu USD), giá bằng khoảng hai lần đối thủ cạnh tranh. Do Samsung yêu cầu điều chỉnh thiết kế thiết bị theo yêu cầu riêng, quá trình đàm phán diễn ra chậm chạp;
Đồng thời, Besi cũng cung cấp thiết bị cho TSMC và Micron, do đó họ thận trọng trong việc điều chỉnh máy riêng cho Samsung. Samsung cũng đang đánh giá các giải pháp thay thế trong nước; công ty con SEMES đã hoàn thành phát triển máy ghép nối hỗn hợp D2W và gửi mẫu kiểm tra vào đầu năm nay;
Hanhwa Semitech đã hoàn thành phát triển thế hệ thứ hai "SHB2 Nano" vào tháng 2 và đã gửi mẫu cho SK Hynix vào tháng 4.
Chuyên gia Jukan của Citrini cho biết, công nghệ này dự kiến sẽ được sử dụng trong bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo của NVIDIA, Feynman, chip này sẽ sử dụng HBM tùy chỉnh;
Samsung nội bộ dự kiến công nghệ liên quan sẽ chỉ đạt ứng dụng quy mô lớn vào khoảng năm 2029 đến 2030.