संबंधित: यह दावा कि TSMC मेमोरी में प्रवेश करेगा और बड़े तीन मेमोरी निर्माताओं को बाधित करेगा यह समझ में नहीं आता। जितना मुझे पता है, TSMC इस प्रोजेक्ट पर पांच से अधिक वर्षों से काम कर रहा है, लेकिन यह मानना कि वह कमोडिटी DRAM बना रहा है, एक गलती होगी। TSMC के पास DRAM IP, DRAM पेटेंट, और संबंधित कोई भी प्रौद्योगिकी नहीं है। मुझे लगता है कि "3D DRAM" शब्द ही भ्रम का कारण है। उद्योग के विशेषज्ञों के साथ बातचीत के बाद, मुझे लगता है कि TSMC के DRAM में प्रवेश के बारे में रिपोर्ट्स को सही तरीके से पढ़ने का यही सही तरीका है। TSMC के पहले प्रकाशित शोध से इसकी दिशा का अच्छा अनुमान लगाया जा सकता है। 2025 VLSI सम्मेलन में, TSMC ने ऑक्साइड अर्धचालकों पर आधारित एक मेमोरी प्रौद्योगिकी प्रस्तुत की, जिसमें एक ट्रांजिस्टर और एक कैपेसिटर (1T1C) से बना सेल है। इसका लक्ष्य इस मेमोरी को उन्नत लॉजिक चिप में एकीकृत करना और प्रोसेसर को कम बिजली और कम लेटेंसी के साथ कैश प्रदान करना है। इस डिज़ाइन की मुख्य विशेषता यह है कि मेमोरी एरे को सीधे लॉजिक चिप के BEOL (बैक एंड ऑफ़ लाइन) इंटरकनेक्ट परतों में बनाया गया है। पारंपरिक DRAM को अलग चिप के रूप में निर्मित किया जाता है। एक उन्नत लॉजिक चिप के इंटरकनेक्ट परतों में मेमोरी एरे को बनाने के लिए, TSMC ने ऑक्साइड अर्धचालक चैनल के साथ सिलेक्ट ट्रांजिस्टर्स और कम तापमान प्रक्रिया से निर्मित कैपेसिटर्स का प्रयोग किया। TSMC केअनुसार, मेमोरी और लॉजिक को एक ही die पर एकीकृत किए गए परीक्षण चिप का संचालन 0.75V पर हुआ। डेटा संरक्षण 128ms से अधिक हुआ, रैंडम पढ़ने/लिखने का समय 8ns से कम हुआ, और सहनशक्ति 10¹⁴ से अधिक साइकल्स हुई। TSMC ने इस प्रौद्योगिकी को SRAM की तुलना में更高的 सघनता प्रदान करते हुए, कमबिजलीउपभोगऔरकमलेटेंसीवालाएकप्रोसेसरकैशकेरूपमेंप्रस्तुतकिया। इसलिए TSMC 3D DRAM को SRAM को प्रतिस्थापित करने के लिएएकअगलीपीढ़ीकीप्रौद्योगिकीकेरूपमेंउत्पादितकरेगा।औरयहभीबड़ीमात्रामेंनहीं। जो कोई BDDR ya LPDDRबनाने कादावा करता है,वहअपनेबारेमेंबिलकुलअनजानहै।