अभी के लिए TSMC HBM पैकेजिंग के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग के बजा

अभी के लिए TSMC HBM पैकेजिंग के लिए हाइब्रिड बॉन्डिंग के बजाय माइक्रोबम्प्स का ही उपयोग जारी रखेगा, 5μm विकास के लिए आपूर्तिकर्ताओं को कार्य सौंपा गया है ताइवान की TSMC अभी के लिए उन उन्नत पैकेजिंग तकनीकों का उपयोग जारी रखने की उम्मीद है, जो हाई-बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) को AI एक्सेलरेटर्स से जोड़ती हैं, और इसमें हाइब्रिड बॉन्डिंग के बजाय पारंपरिक माइक्रोबम्प तकनीक का प्रयोग होगा। संबंधित सामग्रियों के विकास चक्र के कारण, सूक्ष्म-पिच माइक्रोबम्प्स HBM4 के बाद के चरणों में और HBM5 के प्रारंभिक चरण में भी उपयोग किए जाने की संभावना है। 2 सितंबर को सामग्री उद्योग के स्रोतों के अनुसार, TSMC ने अपने सामग्री और उपकरण साझेदारों से लगभग 5 माइक्रोमीटर (μm)-श्रेणी के बम्प्स के लिए बॉन्डिंग और अंडरफिल समाधान विकसित करने का अनुरोध किया है। दूसरे शब्दों में, TSMC चाहती है कि वर्तमान में उन्नत पैकेजिंग में प्रयुक्त माइक्रोबम्प्स और छोटे और सूक्ष्म हो जाएँ। कोरियाई और जापानी आपूर्तिकर्ता पहले से ही विकास में हैं, और 5μm-श्रेणी के बम्प्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन 2028 के दूसरे छमाही में शुरू होने का अनुमान है। वर्तमान में, तीसरी पीढ़ी की विस्तारित HBM, यानी HBM3E, के लिए बम्प की ऊँचाई लगभग 15–25μm है, जबकि HBM4 लगभग 10μm की ओर बढ़ रहा है। जापानी सामग्री आपूर्तिकर्ता पहले ही कह चुके हैं कि 15μm से कम पर गुणवत्ता सुनिश्चित करना कठिन है। 5μm का बम्प, इसलिए, मौजूदा प्रमाणन सीमा से काफी कम होगा। बम्प्स को छोटा और सूक्ष्म बनाने का कारण HBM क्यूब की ऊँचाई सीमा है, साथ ही उच्चतर संयोजन घनत्व कीआवश्यकता है। JEDEC मानकों के अनुसार, HBM स्टैक की 최अधिकतमऊँचाई 775μm है। I/O संयोजनों की संख्या में लगातार वृद्धि हो रही है, परंतु समग्र स्टैक को इस सीमा में ही रखा जाना है। TSMC के उन्नत CoWoS पैकेजिंग में, GPU और HBM स्टैक—जो पहले से ही मेमोरी सप्लायर द्वारा संभव होता है—उसे माइक्रोबम्प्स का प्रयोग करके सिलिकॉन इंटरपोज़र पर स्थापित किया जाता है। 16 DRAM dies का स्टैकिंग HBM पैकेज में SK hynix और Samsung Electronics जैसी कंपनियोंद्वारा किया जाता है, TSMCद्वारा नहीं। हालाँकि,जबएक्सेलरेटर पक्ष परसंयोजनोंकीसंख्या मेंवृद्धि होतीहै, CoWoS मेंउपकरणोंकोस्थापितकरनेकेलिएउपयोगकिएजानेवालेमाइक्रोबम्प्सभीछोटेऔरअधिकघनत्ववालेहोनेचाहिए। पहलीऔरदूसरीपीढ़ीHBMमेंअपेक्षाकृतबड़ेसोल्डरबम्प्सका प्रयोगहुआथा।जबस्टैकडईसऔरI/Oसंयोजनोंकीसंख्या मेंवृद्धि हुई, HBM3 पीढ़िके समय माइक्रोबम्प्स प्रमुखतःउपयोग मेंआए। SK hynixअपनी MR-MUF प्रक्रिया का प्रयोगकरतीहै,जिसमेंमैसरीफ्लोकेबादतरलअंडरफिललगायाजाता है,जबकि Samsung Electronics TC-NCFका प्रयोगकरतीहै,जिसमेंथर्मोकंप्रेशनबॉन्डिंगसे पहलेडईसके मध्यफिल्म-प्रकारकाअंडरफिलस्थापितहोता है। हाइब्रिडबॉन्डिंगअगलाचरणहोनेकेलिएचर्चा मेंहै।बम्प्सहटाकरताँबेकेपैडसीधेबॉन्डकरनेसेसंयोजनपतलेऔरउलट-उलटघनत्ववालेहोसकतेहैं।TSMCइसतकनीककाSoICप्लेटफ़ॉर्मकेअंतर्गतलॉजिकचिपस्टैकिंगकेलिएपहलेसेहीउपयोगकरतीहै।हालाँकि,HBMअभीभीइंटरपोज़रपरमाइक्रोबम्पसेजुड़ाहुआहै।उद्योगइसप्रक्रियाकोछोड़नेके प्रतिअसहजहै,जोउत्पादनयथथ,जाँचऔरउच्च-आयतनउत्पादनदोनोंमेंपहलेसेसफलहुईहै। 5μm स्केल पर,निर्माताओंकोएक साथवोइड-मुक्तअंडरफिल,शेषफ़्लक्सऔरबॉन्डिंगअलाइनमेंटजैसे मुद्दोंकोहलकरना होगा।इससख़्त प्रश्‍नके कारण,TSMC प्रतीतहोतीहैजोउसनेअपने सामग्रीऔरउपकरणसहभागियोंके मध्‍यविभिन्‍नविकासके कार‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍वि�भि��व� � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � �� HBM स्�ट�ए��ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�ए�s HBM4औrHBM4EtakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tak20diestakHBM5tак20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеsтакНВМ5так20дiеs таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E таk НBМ4 таk НBМ4E A materials industry source said, “TSMC’s request to develop finer microbumps can be interpreted as a signal that, for this generation, it intends to use lower-profile microbumps rather than move to direct bonding.” The source added, “Microbumps below 15μm have already been developed, but guaranteeing their quality remains difficult. The key challenge is not so much the bump itself, but developing an underfill solution that can reliably support and qualify it.”