ChainCatcher की सूचना के अनुसार, 2 सितंबर को सामग्री उद्योग के स्रोतों ने बताया कि TSMC उच्च बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) और AI त्वरक के लिए उन्नत पैकेजिंग में मिश्रित बॉन्डिंग के बजाय शीघ्र भविष्य में पारंपरिक माइक्रो-बंप तकनीक का उपयोग जारी रखने की उम्मीद कर रहा है। संबंधित सामग्री विकास चक्र को ध्यान में रखते हुए, अधिक सूक्ष्म पिच वाले माइक्रो-बंप्स का उपयोग HBM4 के अंतिम चरण और HBM5 के प्रारंभिक चरण तक जारी रखा जाएगा। TSMC ने सामग्री और उपकरण साझेदारों से लगभग 5 माइक्रोमीटर स्तर के बंप्स के लिए बॉन्डिंग और फिलर समाधान विकसित करने का अनुरोध किया है, जिसकी शुरुआत दक्षिण कोरिया और जापान के आपूर्तिकर्ताओं ने कर दी है, और 5μm स्तर के बंप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन 2028 के दूसरे छमाही में शुरू होने की उम्मीद है। वर्तमान में, तीसरी पीढ़ी के विस्तारित HBM, HBM3E, के बंप की ऊँचाई लगभग 15–25μm है, जबकि HBM4 लगभग 10μm के पास है। जापानी सामग्री आपूर्तिकर्ता पहले ही 15μm से कम की गुणवत्ता सुनिश्चित करने में कठिनाई का उल्लेख कर चुके हैं। माइक्रो-बंप्स को संकुचित और सूक्ष्म किया जा रहा है क्योंकि HBM क्यूब की ऊँचाई सीमा और उच्चतर संयोजन घनत्व कीआवश्यकता है। JEDEC HBM स्टैक की अधिकतम ऊँचाई 775μm के रूप में निर्धारित करता है। TSMC के उन्नत CoWoS पैकेजिंग में, GPU और मेमोरी सप्लायर्स द्वारा संगठित HBM स्टैक माइक्रो-बंप्स के माध्यम से सिलिकॉन मध्यस्थ पर स्थापित किए जाते हैं, 16-स्तरीय DRAM क्रिस्टल स्टैक SK hynix और सैमसंगइलेक्ट्रॉनिक्सजैसी कंपनियोंद्वारा HBM पैकेज में पूरा किया जाता है। पहली और दूसरी पीढ़ी HBM में बड़े सोल्डर-बंप्स का प्रयोग हुआ, माइक्रो-बंप्स HBM3 पीढ़ी के समय प्रमुख हो गए। SK hynix MR-MUF प्रक्रिया का, सैमसंगइलेक्ट्रॉनिक्स TC-NCF प्रक्रिया का प्रयोग करता है। मिश्रित-बॉन्डिंग सीधे कॉपर पैड्स को बॉन्ड करके पतले और सघन संयोजन प्रदान करता है, TSMC पहले ही SoIC प्लेटफ़ॉर्म पर लॉजिक-चिप स्टैकिंग के लिए प्रयोग करता है, हालाँकि HBM में मध्यस्थ से माइक्रो-बंप्स ही संयोजन के लिए प्रयुक्त होते हैं।
TSMC HBM5 तक HBM के लिए माइक्रो-बम्प पैकेजिंग का उपयोग जारी रखेगी
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सारांश
ChainCatcher के अनुसार, TSMC HBM5 तक AI चिप्स में HBM के लिए माइक्रो-बम्प पैकेजिंग का उपयोग जारी रखेगा। कंपनी 2028 के द्रव्यमान उत्पादन के लिए 5 माइक्रोन बम्प समाधान पर आपूर्तिकर्ताओं के साथ काम कर रही है। HBM3E 15–25μm बम्प्स का उपयोग करती है, जबकि HBM4 10μm पर स्थानांतरित हो रही है। जो ट्रेडर्स जोखिम-से-लाभ अनुपात का मूल्यांकन कर रहे हैं, वे पैकेजिंग प्रौद्योगिकी के चिप प्रदर्शन और लागत पर प्रभाव को देख सकते हैं। क्रिप्टो के लिए TA सुझाव देता है कि HBM के अपनाए जाने के साथ सेमीकंडक्टर-संबंधित संपत्तियों पर नजर रखें।
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