SK हाइलेसिस अपनी छठी पीढ़ी के 10nm स्तर के DRAM प्रक्रिया, 1c nm की उत्पादन हिस्सेदारी को तेजी से बढ़ा रही है। चूंकि 1c DRAM को हाइब्रिड मेमोरी बैंक (HBM) के कोर चिप्स के रूप में स्टैक किया जाएगा और अगली पीढ़ी के हाई-बैंडविड्थ मेमोरी में उपयोग किया जाएगा, इसलिए कंपनी अपने प्रक्रिया संक्रमण को तेज कर रही है। उद्योग विशेषज्ञों के अनुसार, SK हाइलेसिस के 1c DRAM की बाजार हिस्सेदारी पिछले तिमाही में लगभग 10% से बढ़कर दूसरे तिमाही में लगभग 13% हो गई, और तीसरे तिमाही में यह 24% तक पहुंचने का अनुमान है, जबकि चौथे तिमाही में यह 34% तक पहुंच सकती है। अगले वर्ष के पहले तिमाही में, 1c nm की बाजार हिस्सेदारी 35% तक पहुंचने की संभावना है, जो पहली बार 1b (लगभग 33%) को पार करके मुख्य प्रक्रिया बन जाएगी। (金十)
SK Hynix का 1c nm DRAM शुरू 2027 में मुख्य प्रक्रिया बनने की उम्मीद है
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सारांश
अल्टकॉइन्स जिन्हें देखना चाहिए, उनमें तेजी आ सकती है जब SK Hynix का 1c nm DRAM उत्पादन हिस्सा तेजी से बढ़े। बाजार हिस्सेदारी Q1 में 10% से बढ़कर Q2 में 13% हो गई, Q3 में 24% और Q4 में 34% की उम्मीद है। 2027 की शुरुआत तक, 1c nm प्रक्रिया 1b को पार करके मुख्यधारा बन जाएगी और बाजार का 35% हिस्सा प्राप्त करेगी। इस परिवर्तन के साथ-साथ फियर एंड ग्रीड सूचकांक की गतिविधियाँ प्रौद्योगिकी और क्रिप्टो बाजार के सामान्य मनोदशा को प्रतिबिंबित कर सकती हैं।
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