SK Hynix ने एज एआई स्टोरेज के लिए 3D स्टैक्ड DRAM अनुसंधान और विकास शुरू किया

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SK Hynix, MetaEra के साथ भागीदारी करते हुए, एज एआई स्टोरेज के लिए 3D स्टैक्ड DRAM अनुसंधान और विकास में आगे बढ़ रहा है। कंपनी संयुक्त राज्य अमेरिका में डिजाइन इंजीनियर्स की भर्ती कर रही है और ग्राहकों के साथ इस प्रौद्योगिकी का संयुक्त विकास करने की योजना बना रही है। यह ऑन-चेन समाचार, एआई + क्रिप्टो समाचार में एक महत्वपूर्ण प्रवृत्ति को दर्शाता है, क्योंकि स्टैक्ड मेमोरी पोस्ट-जनरेटिव एआई युग में एज एआई को संचालित करने के लिए तैयार है। डिजाइन सीधे लॉजिक चिप्स पर मेमोरी स्टैक करता है, जिसका उद्देश्य अगली पीढ़ी के एआई उपकरणों के लिए प्रदर्शन में वृद्धि करना है।
ME AI संदेश, SK हाइलेसिस अंतिम छोर के लिए AI के लिए अगली पीढ़ी की DRAM तकनीक—3D स्टैक्ड DRAM के विकास को तेज कर रही है। जानकारी के अनुसार, कंपनी ने हाल ही में कर्मचारी भर्ती योजना शुरू कर दी है और अमेरिकी ग्राहकों के साथ मिलकर संबंधित तकनीक का डिज़ाइन करने की योजना बना रही है। 3D स्टैक्ड DRAM डिज़ाइन एक अगली पीढ़ी की सेमीकंडक्टर तकनीक है, जिसमें स्टोरेज चिप को सीधे लॉजिक सेमीकंडक्टर (सिस्टम सेमीकंडक्टर) के ऊपर स्टैक किया जाता है। उद्योग में अनुमान है कि जनरेटिव AI के बाद के फिजिकल AI के युग में, ऐसी तकनीकें अंतिम छोर के AI उपकरणों के लिए मुख्य सेमीकंडक्टर समाधान बन जाएंगी। SK हाइलेसिस हाल ही में अमेरिका, सैन होसे में स्थित अमेरिकी सहायक कंपनी के माध्यम से 3D स्टैक्ड DRAM डिज़ाइन इंजीनियर्स की भर्ती कर रही है, ताकि संबंधित तकनीकी विकास को आगे बढ़ाया जा सके। नीचे दिए गए मूल लिंक पर क्लिक करें, Beating · Feishu AI समाचार चैनल में शामिल हों, जो 7×24 घंटे विश्वव्यापी AI हॉटस्पॉट्स और समाचारों का निरंतर पता लगाता है। (स्रोत: BlockBeats)
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