ME समाचार के अनुसार, 7 सितंबर (UTC+8), SK हाइलिस ने 10 नैनोमीटर स्तर के छठी पीढ़ी (1c) DRAM के उत्पादन में हिस्सा बढ़ाने की गति बढ़ा दी है। उद्योग विश्लेषकों के अनुसार, SK हाइलिस ने दूसरे छमाही में रूपांतरण तेज किया है, और चौथे छमाही में यह लगभग 34% हो सकता है, जो सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के लगभग 31% से अधिक है। SK हाइलिस ने दूसरे छमाही के परिणाम फोन कॉल पर कहा कि 1c प्रक्रिया का उपयोग करने वाला DRAM दूसरे छमाही से वास्तविक रूप से शुरू हुआ है, और दूसरे छमाही में HBM4 के बढ़ते उत्पादन और 1c सामान्य DRAM के निर्यात में वृद्धि के साथ, प्रति बिट वृद्धि दर पहले छमाही से अधिक होगी। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स HBM4 से 1c DRAM का उपयोग करता है, जिसकी संचालन गति लगभग 11.7Gbps है; SK हाइलिस पहले प्रमाणित 1b DRAM और उन्नत MR-MUF पैकेजिंग का उपयोग करके बड़े पैमाने पर उत्पादन की स्थिरता को प्राथमिकता देता था, और अगली पीढ़ी HBM4E से पहली बार 1c DRAM को HBM कोर चिप के रूप में शामिल करेगा। Counterpoint Research जैसी संस्थाओं का मानना है कि 2024 में NVIDIA, Google, AMD के संयुक्त HBM4 बाजार हिस्सेदारी SK हाइलिस के 50% मध्य, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के 20% पश्चिम, और माइक्रोन के 10% पश्चिम होगी। (स्रोत: ChainCatcher)
SK हाइनिक्स 1c DRAM उत्पादन को तेज करेगी, Q4 तक सैमसंग को पार कर लेगी
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सारांश
SK हाइनिक्स 10nm-क्लास 1c DRAM के उत्पादन को बढ़ा रहा है, जिसके बारे में स्रोतों का कहना है कि यह Q4 तक सैमसंग के 31% हिस्सेदारी को पार कर 34% तक पहुँच सकता है। यह कदम बढ़ती मेमोरी मांग के साथ-साथ देखने योग्य अल्टकॉइन्स के साथ समानांतर है। SK हाइनिक्स ने कहा कि 1c DRAM की डिलीवरी Q2 में शुरू हुई है, और दूसरे छमाही में HBM4 की शिपमेंट के साथ उत्पादन बढ़ेगा। सैमसंग 11.7Gbps पर HBM4 के लिए 1c का उपयोग करता है, जबकि SK हाइनिक्स स्थिरता के लिए 1b DRAM और MR-MUF पैकेजिंग पर ध्यान केंद्रित कर रहा है। काउंटरपॉइंट के अनुसार, 2026 तक SK हाइनिक्स HBM4 बाजार में मध्य-50% हिस्सेदारी प्राप्त करेगा। जैसे-जैसे भय और लालच सूचकांक ऊपर की ओर बढ़ रहा है, ऐसे सेमीकंडक्टर कदम क्रिप्टो और टेक निवेशकों के मनोबल को आकार दे रहे हैं।
स्रोत:मूल दिखाएं
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