सैमसंग और एसके हाइनिक्स चीन में NAND उत्पादन को उपकरण निवेश के साथ बढ़ाएंगे

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सैमसंग और एसके हाइनिक्स क्रिप्टो समाचार स्रोतों के अनुसार चीन में NAND उत्पादन बढ़ा रहे हैं। सैमसंग अपने शियान X2 संयंत्र को V9 NAND में बदल रहा है, जिसकी मासिक क्षमता 40,000 से 50,000 वेफर्स है। एट्चिंग उपकरण वर्ष के अंत तक जोड़े जाएंगे, और 2025 में तैनाती शुरू होगी। एसके हाइनिक्स अपने दालियान प्लांट 2 में निवेश कर रहा है, जिसका लक्ष्य मासिक 30,000 वेफर्स है। उपकरण अगले महीने पहुंचेंगे, और कार्य 2027 के मध्य तक पूरा होगा। यह कारखाना 2020 में इंटेल से खरीदा गया था, जिसका विस्तार 2022 में रोक दिया गया था। विश्लेषकों का कहना है कि यह प्रयास AI सर्वर स्टोरेज की मांग को पूरा करने के लिए है, जैसा कि क्रिप्टोकरेंसी समाचार प्लेटफॉर्मों द्वारा रिपोर्ट किया गया है।

ChainCatcher की सूचना के अनुसार, ZDNet Korea की रिपोर्ट के अनुसार, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइलिटस अगले वर्ष तक चीन में NAND फ्लैश उत्पादन लाइनों पर उपकरण निवेश जारी रखने की योजना बना रहे हैं, ताकि स्थानीय उत्पादन केंद्रों को मजबूत किया जा सके। सैमसंग ने इस साल की पहली छमाही से ही एक्सियान X2 लाइन पर V9 NAND के रूपांतरण के लिए निवेश शुरू कर दिया है, जो लगभग 280 परतों के स्टैकिंग वाली उन्नत प्रक्रिया है, और इसकी मासिक क्षमता 40,000 से 50,000 वेफर्स के बीच होने की उम्मीद है; निरंतर उत्पादन के लिए, कंपनी ने अतिरिक्त निवेश की योजना तय कर ली है, जिसका केंद्र मुख्य रूप से एच्रिंग प्रक्रिया उपकरणों का अतिरिक्त खरीद है, जिसके संबंध में खरीद के ऑर्डर संभवतः साल के अंत के पास स्पष्ट होंगे, और अतिरिक्त निवेश को अगले वर्ष की दूसरी छमाही से शुरू करने की योजना है। SK हाइलिटस ने इस साल की तीसरी तिमाही से ही दालियान 2 संयंत्र में NAND製品 के अपग्रेड के संबंध में उपकरणों पर निवेश को प्रगति पर लाया है, जिसका प्रस्तावित पैमाना मासिक 30,000 वेफर्स के समान है, मुख्य उत्पादन उपकरणों को अगले महीने से क्रमशः स्थापित किया जाएगा, और 2024 की पहली छमाही से पहले स्थापना पूरी करने की योजना है। दालियान संयंत्र 2020 की दूसरी छमाही में Intel NAND विभाग के अधिग्रहण के पश्चात प्राप्त संपत्ति है, 2022 में पहले ही 2वें संयंत्र की स्थापना के लिए मंचन किया गया, हालाँकि, मार्केट परिस्थितियों के कारण, पूँजी-निवेश में समय-समय पर मंदी हुई, परंतु अब पुनः प्रारंभ हुआ है। उद्योगविदों का मानना है कि उपरोक्त कदमों का मुख्य उद्देश्य मानव-कृत्रिम सर्वरों सहित क्षेत्रों में हाई-एंड स्टोरेज की मांग में हो रही तेज़ी का सामना करने के लिए, प्रगति-वश,चीन में प्रगति-वश NAND क्षमता को समय-समय पर बढ़ाना है।

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