मार्स फाइनेंस के अनुसार, दक्षिण कोरिया की सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइलेट उच्च प्रदर्शन बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) और अगली पीढ़ी की स्टोरेज तकनीकों में निवेश बढ़ाकर अग्रणी स्थिति बनाए रखने की दिशा में काम कर रहे हैं। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने कहा कि दूसरे तिमाही में अनुसंधान और विकास पर 16 ट्रिलियन कोरियाई वॉन (लगभग 116 बिलियन अमेरिकी डॉलर) का खर्च हुआ, जो एक रिकॉर्ड है, और HBM4, HBM4E, DDR5 जैसी उच्च-अंत स्टोरेज उत्पादों के लिए निवेश बढ़ाने की योजना है। एसके हाइलेट HBM5, मिक्स्ड बॉन्डिंग और iHBM जैसी अगली पीढ़ी की तकनीकों का विकास कर रहा है, और इस साल 40 ट्रिलियन कोरियाई वॉन (लगभग 326 बिलियन अमेरिकी डॉलर) का पूंजीव्यय करने की उम्मीद है।
सैमसंग और एसके हाइनिक्स एचबीएम और अगली पीढ़ी की मेमोरी तकनीक में अनुसंधान और विकास तथा निवेश बढ़ा रहे हैं
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सारांश
नवीनतम क्रिप्टो समाचार में, सैमसंग और एसके हाइनिक्स HBM और अगली पीढ़ी की मेमोरी तकनीक में अनुसंधान और विकास तथा निवेश बढ़ा रहे हैं। सैमसंग ने Q2 में 16 ट्रिलियन KRW ($116 बिलियन) का R&D पर खर्च किया है और HBM4, HBM4E और DDR5 सहित अपनी हाई-एंड स्टोरेज लाइन का विस्तार कर रहा है। एसके हाइनिक्स HBM5, हाइब्रिड बॉन्डिंग और iHBM पर काम कर रहा है, और इस साल 40 ट्रिलियन KRW ($326 बिलियन) का अपेक्षित पूंजी खर्च है।
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