ChainCatcher के अनुसार, दक्षिण कोरिया की सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइलेट्स HBM और अगली पीढ़ी की स्टोरेज तकनीकों में निवेश बढ़ाकर अपनी अग्रणी स्थिति बनाए रखने की योजना बना रही हैं। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने कहा कि दूसरे तिमाही में अनुसंधान और विकास निवेश 16 ट्रिलियन कोरियाई वॉन (लगभग 116 बिलियन अमेरिकी डॉलर) के रिकॉर्ड स्तर पर पहुंच गया है, और यह HBM4, HBM4E, DDR5 जैसी उच्च-अंत स्टोरेज उत्पादों के लिए अपनी निवेश रणनीति का विस्तार करने की योजना बना रहा है। एसके हाइलेट्स HBM5, मिक्स्ड बॉन्डिंग और iHBM जैसी अगली पीढ़ी की तकनीकों का विकास कर रहा है, और इसकी वर्तमान वर्ष के लिए पूंजीव्यय 40 ट्रिलियन कोरियाई वॉन (लगभग 326 बिलियन अमेरिकी डॉलर) का होने का अनुमान है।
सैमसंग और एसके हाइनिक्स एचबीएम अनुसंधान और विकास तथा निवेश में वृद्धि कर रहे हैं
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सारांश
सैमसंग और एसके हाइनिक्स HBM और अगली पीढ़ी की मेमोरी तकनीक में अनुसंधान और विकास तथा निवेश बढ़ा रहे हैं। सैमसंग ने Q2 में 16 ट्रिलियन KRW ($116 बिलियन) का अनुसंधान और विकास पर खर्च किया और HBM4, HBM4E और DDR5 लॉन्च करने की योजना बना रहा है। एसके हाइनिक्स HBM5, हाइब्रिड बॉन्डिंग और iHBM पर काम कर रहा है, और इस साल पूंजी खर्च 40 ट्रिलियन KRW ($326 बिलियन) तक पहुंचने की उम्मीद है। यह कदम तब उठाया जा रहा है, जब क्रिप्टोकरेंसी समाचार में क्रिप्टोकरेंसी समाचार क्षेत्र में उच्च प्रदर्शन वाले हार्डवेयर की बढ़ती मांग पर प्रकाश डाला जा रहा है।
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