किओक्सिया के शेयर 6.6% बढ़ गए, क्योंकि कंपनी ने दुनिया का सबसे उच्च घनत्व वाला 3D NAND फ्लैश लॉन्च किया

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8 अगस्त को, किओक्सिया के शेयर 6.6% बढ़ गए, क्योंकि कंपनी ने दुनिया का सबसे उच्च घनत्व वाला 3D NAND फ्लैश लॉन्च किया। FMS पर प्रस्तुत BiCS10 3D QLC NAND चिप में 332 परतें, 37 Gb/mm² घनत्व और 4800 MT/s इंटरफेस शामिल हैं। यह उत्पाद डेटा सेंटर SSDs के लिए लक्षित है और बढ़ते वास्तविक संपत्ति (RWA) के समाचारों के बीच आया है। बाजार विश्लेषकों ने इस कदम को टेक मांग को प्रभावित कर रहे लगातार बढ़ते मुद्रास्फीति डेटा प्रवृत्तियों से जोड़ा है।

ChainThink संदेश, 5 अगस्त, बाजार डेटा के अनुसार, निकाइ 225 सूचकांक खुलते ही बढ़ा, अब 3.12% बढ़ा; जापानी स्टॉक काइए ने 6.6% की बढ़त दर्ज की।

समाचार स्तर पर, काइल और सैंडिस्क ने Future of Memory and Storage Conference (FMS) पर BiCS10 3D QLC NAND फ्लैश चिप लॉन्च की है, जिसे वे वर्तमान में दुनिया में लॉन्च की गई सबसे उच्च स्टोरेज घनत्व वाली 3D NAND उत्पाद के रूप में प्रस्तुत कर रहे हैं।

जानकारी के अनुसार, यह चिप 332 स्तरों की स्टैकिंग संरचना का उपयोग करता है, जिसकी इकाई क्षेत्रफल स्टोरेज घनत्व 37 Gb/mm² है, अधिकतम 4800 MT/s के उच्च गति इंटरफेस के साथ आता है और स्वतंत्र आदेश पता (SCA) कार्य का समर्थन करता है, जो मुख्य रूप से उच्च क्षमता डेटासेंटर-स्तरीय SSD बाजार के लिए उपलब्ध है।

पिछले BiCS10 3D TLC NAND उत्पादों की 29 Gb/mm² से अधिक स्टोरेज डेंसिटी की तुलना में, नया QLC NAND डेटासेंटर स्टोरेज क्षमता घनत्व को आगे बढ़ाता है।

उद्योग का अनुमान है कि समान चिप आकार और स्टोरेज यूनिट संख्या के संदर्भ में, इस चिप की क्षमता लगभग 1.33 Tb हो सकती है, हालाँकि निर्माता ने अभी तक कोई विशिष्ट क्षमता विनिर्देश जारी नहीं किए हैं।

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