मार्स कैपिटल की समाचार रिपोर्ट के अनुसार, 5 अगस्त को, किओक्सिया और सैंडिस्क ने फ्यूचर ऑफ मेमोरी एंड स्टोरेज कॉन्फ्रेंस (FMS) पर अपना नवीनतम BiCS10 3D QLC NAND फ्लैश चिप आधिकारिक रूप से लॉन्च किया, जिसे वर्तमान में दुनिया में लॉन्च किए गए सबसे उच्च स्टोरेज घनत्व वाला 3D NAND उत्पाद बताया जा रहा है। इस चिप में 332 परतों की स्टैकिंग संरचना का उपयोग किया गया है, जिसका इकाई क्षेत्रफल पर स्टोरेज घनत्व 37 Gb/mm² है, इसमें 4800 MT/s तक की उच्च-गति इंटरफ़ेस शामिल है और स्वतंत्र कमांड एड्रेस (SCA) सुविधा का समर्थन करता है, जो मुख्य रूप से उच्च-क्षमता डेटासेंटर-लेवल SSD बाजार के लिए उपलब्ध है। पिछले BiCS10 3D TLC NAND उत्पादों की तुलना में, जिनका स्टोरेज घनत्व 29 Gb/mm² से अधिक है, नया QLC NAND डेटासेंटर स्टोरेज क्षमता घनत्व को आगे बढ़ाता है। उद्योग के विशेषज्ञों का अनुमान है कि समान चिप आकार और स्टोरेज सेल संख्या के साथ, इस चिप की क्षमता लगभग 1.33Tb हो सकती है, हालाँकि निर्माता अभी तक कोई विशिष्ट क्षमता स्पेसिफिकेशन प्रकाशित नहीं किए हैं। डेटासेंटर में उच्च-प्रदर्शन और कम बिजली की मांग को पूरा करने के लिए, किओक्सिया और सैंडिस्क ने कम-उपभोग वाली आइसोलेशन-लो-टैप-टर्मिनेशन (PI-LTT) प्रौद्योगिकी को शामिल किया है, जो उच्च-गति संकेत पूर्णता में सुधार के साथ-साथ आउटपुट ड्राइव पावर कम करती है। दोनों कंपनियाँ बता रही हैं कि नवीनतम BiCS10 प्रक्रिया पर आधारित, पीढ़ी-अगला QLC NAND不僅 हाई-बिट-डेंसिटी प्राप्त करता है, बल्कि प्रोडक्शन स्केल-अप के बाद मैनुफैक्चरिंग लागत में कमी की संभावना है, जिससे अधिक क्षमता वाले SSD मूल्य प्रतिस्पर्धी मूल्य पर बाजार में प्रवेश कर पाएंगे।
किओक्सिया और सैनडिस्क ने 4800MT/s इंटरफेस के साथ 332-लेयर QLC NAND लॉन्च किया
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सारांश
किओक्सिया और सैनडिस्क ने 5 अगस्त को टोकन लॉन्च की खबर जारी की, जिसमें उन्होंने FMS कॉन्फ्रेंस पर अपना BiCS10 3D QLC NAND फ्लैश चिप प्रकट किया। 332-परत वाला चिप 37 Gb/mm² घनत्व, 4800MT/s इंटरफेस, और प्रति चिप अधिकतम 1.33Tb प्रदान करता है। यह SCA का समर्थन करता है और PI-LTT का उपयोग करके बिजली के उपयोग को कम करता है और सिग्नल की गुणवत्ता में सुधार करता है। नया NAND पिछले TLC मॉडलों की तुलना में अधिक बिट घनत्व प्रदान करता है, जो डेटा सेंटर SSDs के लिए लक्षित है। ऑन-चेन खबरें उच्च क्षमता वाले स्टोरेज समाधानों की ओर लगातार बदलाव को दर्शाती हैं।
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