ग्लोबल मेमोरी ETF ने चांगशिन टेक्नोलॉजी को जोड़ा, चीन के DRAM नेता को अंतरराष्ट्रीय पूंजी का ध्यान मिला

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8 अगस्त, 2026 को, राउंडहिल मेमोरी ETF (DRAM) में ETF प्रवाह जारी रहा, जिसमें फंड ने अपने शीर्ष दस होल्डिंग्स में चांगशिन टेक्नोलॉजी को 2.52% वजन के साथ शामिल किया। ETF ने GigaDevice में अपना स्टेक कम कर दिया, जिससे इसका वजन घटकर 1.51% हो गया। चांगशिन अब पोर्टफोलियो में आठवें सबसे बड़े होल्डिंग के रूप में स्थित है और सबसे अधिक वजन वाली चीनी स्टोरेज कंपनी है। ETF की शीर्ष दस होल्डिंग्स में सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, माइक्रॉन टेक्नोलॉजी और SK Hynix शामिल हैं। STAR मार्केट पर सूचीबद्ध चांगशिन ने 54.99 RMB पर क्लोज किया, जिसकी बाजार पूंजीकरण 3.68 खरब RMB है। लीवरेज्ड फंड्स में ETF आउटफ्लोज़ दर्ज किए गए, जिसमें मॉर्गन स्टेनले ने AI और औद्योगिक चक्र में नए प्रवेश के अवसरों का सुझाव दिया।

मार्स फाइनेंस के अनुसार, 3 अगस्त को, दुनिया का पहला शुद्ध मेमोरी थीम ETF—Roundhill Memory ETF (DRAM) ने अपनी नवीनतम पुनर्संरचना पूरी की, जिसमें चीनी DRAM निर्माता ChangXin Memory Technologies को प्रमुख 10 होल्डिंग्स में शामिल किया गया, जिसका वजन 2.52% है और यह आठवां सबसे बड़ा होल्डिंग है। डेटा के अनुसार, DRAM ने इसी समय A-शेयर स्टोरेज कंपनी GigaDevice की होल्डिंग को कम कर दिया, जिसका वजन 2.91% से घटकर 1.51% हो गया और इसकी स्थिति दसवें स्थान पर गिर गई। ChangXin Memory Technologies इस ETF में सबसे अधिक वजन वाला चीनी स्टोरेज एसेट बन गया। बाजार विश्लेषकों के मुताबिक, ChangXin Memory Technologies के वैश्विक स्टोरेज थीम ETF में शामिल होने का मतलब है कि अंतर्राष्ट्रीय पूंजी चीनी DRAM उद्योग के प्रति अधिक ध्यान देने लगी है। वर्तमान में, ChangXin Memory Technologies सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, माइक्रॉन टेक्नोलॉजीज, SK हाइलेस्टिस जैसे वैश्विक स्टोरेज निर्माताओं के साथ एक ही निवेश पोर्टफोलियो में मौजूद है। ChangXin Memory Technologies ने 27 जुलाई को स्कॉर्ड क्रॉस पर प्रवेश किया, जिसकी प्रारंभिक कीमत 8.66 युआन थी, पहले दिन के समापन पर कीमत 49 युआन पर पहुंची, जिससे 465.82% का एकल-दिवसीय लाभ हुआ। 3 अगस्त के समापन तक, कंपनी का स्टॉक 54.99 युआन पर बंद हुआ, जिसका कुल मूल्यांकन लगभग 3.68 ट्रिलियन युआन है। Omdia के डेटा के अनुसार, 2025 के चौथे तिमाही में ChangXin Memory Technologies का वैश्विक DRAM बाजार हिस्सा लगभग 7.67% है, जो वैश्विक स्तर पर चौथे स्थान पर है। Roundhill Memory ETF का 2 April 2026 को Cboe BZX Exchange, संयुक्त राज्य अमेरिका में प्रवेश हुआ, जो दुनिया का पहला मेमोरी चिप क्षेत्र पर केंद्रित ETF है। डेटा के मुताबिक, ETF का स्केल 3 महीनों में 250000 मिलियन USD से अधिक हो गया है, प्रमुख 10 होल्डिंग्स में सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, माइक्रॉन टेक्नोलॉजीज, SK हाइलेस्टिस, Western Digital, Seagate Technology, SanDisk, Kioxia Holdings, ChangXin Memory Technologies, Nanya Technology, GigaDevice शामिल हैं। हाल के समय में, वैश्विक स्टोरेज चिप स्टॉक में समायोजन हुआ है; 3 अगस्त को, कोरिया का संपूर्ण सूचकांक 5.12% कम हुआ, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और SK हाइलेस्टिस के स्टॉक में 9% की कमी हुई। मॉरगन स्टेनले का मानना है कि हाल के समय में हुए लीवरेज्ड पूंजी के सफाये से AI औरऔद्योगिक चक्रों में नए प्रवेश के मौके प्रदान हो सकते हैं।

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