DRAM मेमोरी ETF ने 2.52% भार के साथ ChangXin Technology को जोड़ा

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DRAM मेमोरी ETF ने ChangXin Technology को 2.52% वजन के साथ जोड़ने के बाद ETF में प्रवाह देखा। 2 अप्रैल, 2026 को लॉन्च हुआ यह ETF $24.55 बिलियन संपत्ति रखता है और 190% के शीर्ष से 161.5% की वापसी दी है। सैमसंग, माइक्रॉन और SK हाइनिक्स पोर्टफोलियो का 73% से अधिक नियंत्रण करते हैं। ChangXin, एक शीर्ष A-शेयर मेमोरी कंपनी, नवीनतम जोड़ है। ETF से निकासी ने क्षेत्र पर दबाव डाला है, लेकिन ETF मेमोरी मांग पर एक प्रमुख निवेश बना हुआ है।

ओडेली प्लैनेट डेली के अनुसार, लाइन-ऑन विश्लेषक एआई एई ने एक्स प्लेटफॉर्म पर एक पोस्ट में कहा कि अमेरिकी स्टॉक बाजार का पहला शुद्ध स्टोरेज ETF, DRAM Memory ETF, ChangXin Technologies को शामिल करता है। यह ETF 2 अप्रैल, 2026 को स्थापित किया गया था, जिसका आकार 245.5 अरब डॉलर है, और इसकी रिटर्न एक समय 190% तक पहुंच गई, हालांकि स्टोरेज सेक्टर के सुधार के बाद यह 161.5% पर स्थिर है। सैमसंग, माइक्रोन और हाइनेस का संयुक्त भार 73% से अधिक है, और ZhiYi Innovation के बाद यह दूसरी बार A-शेयर स्टोरेज नेता, ChangXin को 2.52% के भार के साथ शामिल करता है।

चांगशिन टेक्नोलॉजी ने शेन्ज़ेन स्कॉर्स कॉमर्स पर लिस्टिंग के बाद अपना बाजार मूल्य 3 ट्रिलियन युआन से अधिक बनाए रखा है और कभी-कभी 4 ट्रिलियन युआन तक पहुंच गई है; अगले सोमवार से यह अनियंत्रित वृद्धि/पतन चरण समाप्त होकर सामान्य व्यापार चरण में प्रवेश करेगी।

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