BlockBeats की सूचना, 4 अगस्त, रॉयटर्स के अनुसार, जानकारों के मुताबिक, ChangXin Memory बीजिंग के Yizhuang में दूसरा 12-इंच DRAM वेफर प्लांट बनाने पर विचार कर रहा है और बीजिंग इकोनॉमिक एंड टेक्नोलॉजी डेवलपमेंट ज़ोन तथा कई सार्वजनिक प्रौद्योगिकी कंपनियों के साथ वित्तपोषण पर बातचीत कर रहा है। कंपनी कम से कम 6000 करोड़ रुपये (लगभग 890 लाख डॉलर) का समर्थन ढूंढ रही है, लेकिन बातचीत अभी प्रारंभिक चरण में है और वित्तपोषण का पैमाना और संरचना संशोधित हो सकता है।
निर्माणाधीन कारखाना चांगशिन स्टोरेज के वर्तमान बीजिंग DRAM वेफर प्लांट के स्थान पर स्थित होगा। परियोजना की योजनाबद्ध क्षमता और कुल निवेश अभी तय नहीं हुए हैं, जबकि उन्नत DRAM उत्पादन के लिए एक वेफर प्लांट का निर्माण सामान्यतः 100 अरब डॉलर से अधिक की आवश्यकता होती है। वर्तमान में, चांगशिन स्टोरेज के पास हेफेई में दो और बीजिंग में एक 12-इंच DRAM वेफर प्लांट है, जिनमें से प्रत्येक की मासिक क्षमता लगभग 100,000 वेफर है।
चांगशिन स्टोरेज अभी भी शंघाई और हेफेई में नए कारखाने बना रहा है; जब इन परियोजनाओं का पूर्ण उत्पादन शुरू हो जाएगा, तो कंपनी की मासिक क्षमता 600,000 से अधिक वाफर्स तक दोगुनी हो सकती है। यह विस्तार AI बुनियादी ढांचे, डेटा केंद्रों और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स की मांग के कारण स्टोरेज चिप्स के आरोही चक्र में हो रहा है। पिछले महीने कंपनी ने 86 अरब डॉलर का IPO पूरा किया, जो चीनी मुख्यभूमि का सबसे बड़ा सेमीकंडक्टर कंपनी आईपीओ रहा, और सूचीकरण के बाद शेयर मूल्य 13% बढ़ गया है।
ChangXin Memory Technologies वर्तमान में विश्व का चौथा सबसे बड़ा DRAM निर्माता है, लेकिन सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, SK हाइलेस और माइक्रॉन ने पहली तिमाही में मिलकर विश्व बाजार का लगभग 90% हिस्सा अधिकार किया। बीजिंग और शंघाई भी ChangXin Memory Technologies को इसके विस्तार से आर्थिक और रणनीतिक लाभ प्राप्त करने के लिए धन और अन्य समर्थन प्रदान कर रहे हैं।