Binubuo ni Samsung ang 8-Layer HBM4E para sa NVHBM ni NVIDIA

Ayon sa Mars Finance, noong Agosto 28, ayon sa Seoul Economic Daily, sinusubukan ng Samsung Electronics na mag-develop ng 8-layer na HBM4E product ayon sa mga hiling ng NVIDIA para gamitin sa kanilang custom high-bandwidth memory na NVHBM. Ang solusyong ito ay nagbabawas sa bilang ng stacked layers kumpara sa kanilang orihinal na plano na 12 at 16 layers, at ang target na bilis na ibinigay ng NVIDIA ay 17 hanggang 18 Gbps, na humigit-kumulang 20% na pagtaas kumpara sa 14.4 Gbps ng mga unang HBM4E sample ng Samsung. Ang paggamit ng 8-layer na disenyo ay nagpapababa sa kahirapan sa wafer thinning, precision stacking, at backend packaging, at nagpapabawas sa presyur sa yield at nagpapalakas sa kakayahan sa paggawa. Ang NVHBM ay maaaring magsimulang gamitin mula sa inaasahang paglalabas ng Rubin Ultra AI GPU sa susunod na taon. Ang sukat ng GPU interconnect ng Rubin Ultra ay maaaring lumago mula sa kasalukuyang 72 hanggang sa maximum na 576, upang kompensahan ang pagbaba sa memory capacity ng bawat GPU sa pamamagitan ng mas maraming high-speed GPU na nagtatrabaho nang sabay. Ang Samsung ay may kakayahang mag-design at mag-produce ng DRAM, logic chips, at base dies, kaya makakapagbigay sila ng one-stop service para sa custom HBM. Sa palagay ng mga eksperto, ipinakita na ng Samsung ang mataas na transmission speed sa HBM4, at matapos na ilipat ng NVIDIA ang kanilang pagkakasunod-sunod mula sa mataas na stacking patungo sa mas mataas na transmission speed, ang kanilang mga kakayahan ay maaaring makatanggap ng higit pa pansin.