蘋果曾接觸其NAND快閃記憶體供應商的帳簿，並頻繁審查，甚至因此從德勤獲得折扣。 LMAO #BoycottApple https://t.co/Qe6YiArp9G
根據中國內地媒體界面新聞報導，由於 iPhone Duo 的生產能力有限，蘹果曾放寬部分與產能相關的品質控制標準，據稱這增加了易出現顯示故障的機型流入市場的可能性。 蘹果對 iPhone Duo 的品質控制是公司歷史上最差的。
根據韓國媒體報導，TSMC 終於將在 A14 節點上恢復 SRAM 的縮小進程，此進程自 2020 年推出 N5（5 納米）製程後便陷入停滯。 自 2020 年推出 N5 製程以來，SRAM 位元單元尺寸已維持在 0.021 µm² 左右近八年。然而，隨著 A14 的推出，高密度 6T SRAM（靜態隨機存取記憶體）位元單元的尺寸預計將縮小至低於 0.017 µm²。 韓國媒體指出，這將使 TSMC 領先於英特爾的 18A 製程；英特爾在去年 ISSCC 上報告其高密度位元單元尺寸為 0.021 µm²，SRAM 宏密度最高為 38.1 兆位/mm²。 SRAM 是用於 CPU、GPU 和 AI 加速器內部的超高速快取記憶體。更小的位元單元——最小的獨立記憶體單元——能讓更多記憶體容納於相同面積中，直接影響效能與功耗效率。 https://t.co/tYuy9jFUD4
過去幾天記憶體產業新聞中最寶貴的見解，無疑來自 Lam Research 執行長 Tim Archer。 在公司 2026 年 10 月 21 日的財報電話會議上，Archer 解釋說，SLC NAND 在 AI 領域的日益普及，可能會增加供應相同儲存數量所需的晶圓產能。讓我們進一步探討。 具體而言，從 TLC 轉向 SLC 類產品，會將每個儲存單元的位元數減少至約三分之一。因此，他指出，SLC 在總 NAND 位元中所佔比例每增加 1 個百分點，就需要約 2% 更多的晶圓產能，以滿足相同的整體位元需求。 一些讀者可能懷疑，SLC 是否是已過時的 NAND 生產方式，僅用於舊型產品。 事實並非如此。SLC 是一個極具前景的領域，其在 NAND 中的角色可能類似於 HBM 在 DRAM 中的角色。 NVIDIA 與超大規模雲端服務商等 NAND 客戶，正在基於 SLC 開發下一代產品。在 NVIDIA 生態系統中，重點是基於 SLC 的 XL-Flash，亦稱高 IOPS NAND。在 NVIDIA 生態系統之外，SLC 也被用作 HBF 的基礎。 簡單來說，要達到一塊 TLC 晶圓的儲存容量，大約需要三塊 SLC 晶圓；而要達到一塊 QLC 晶圓的容量，則大約需要四塊。隨著這些基於 SLC 的產品產能提升，它們將消耗越來越多的 NAND 晶圓產能。正如 HBM 推動了 DRAM 的供應短缺，這些產品也可能在 NAND 中創造類似的動態。 由於 HBF 和 XL-Flash 分別計劃於 2028 年和 2027 年進入量產，我認為我們應當重新評估部分分析師對 NAND 價格將於 2027 年第四季度開始下跌的預測，是否過於保守。
混合鍵合（W2W）會在高數值孔徑 EUV 之前被採用嗎？ https://t.co/IOs2QsX8iO
