過去幾天記憶體產業新聞中最寶貴的見解，無疑來自 Lam Research 執行長 Tim Archer。 在公司 2026 年 10 月 21 日的財報電話會議上，Archer 解釋說，SLC NAND 在 AI 領域的日益普及，可能會增加供應相同儲存數量所需的晶圓產能。讓我們進一步探討。 具體而言，從 TLC 轉向 SLC 類產品，會將每個儲存單元的位元數減少至約三分之一。因此，他指出，SLC 在總 NAND 位元中所佔比例每增加 1 個百分點，就需要約 2% 更多的晶圓產能，以滿足相同的整體位元需求。 一些讀者可能懷疑，SLC 是否是已過時的 NAND 生產方式，僅用於舊型產品。 事實並非如此。SLC 是一個極具前景的領域，其在 NAND 中的角色可能類似於 HBM 在 DRAM 中的角色。 NVIDIA 與超大規模雲端服務商等 NAND 客戶，正在基於 SLC 開發下一代產品。在 NVIDIA 生態系統中，重點是基於 SLC 的 XL-Flash，亦稱高 IOPS NAND。在 NVIDIA 生態系統之外，SLC 也被用作 HBF 的基礎。 簡單來說，要達到一塊 TLC 晶圓的儲存容量，大約需要三塊 SLC 晶圓；而要達到一塊 QLC 晶圓的容量，則大約需要四塊。隨著這些基於 SLC 的產品產能提升，它們將消耗越來越多的 NAND 晶圓產能。正如 HBM 推動了 DRAM 的供應短缺，這些產品也可能在 NAND 中創造類似的動態。 由於 HBF 和 XL-Flash 分別計劃於 2028 年和 2027 年進入量產，我認為我們應當重新評估部分分析師對 NAND 價格將於 2027 年第四季度開始下跌的預測，是否過於保守。