根據韓國媒體報導，TSMC 終於將在 A14 節點上恢復 SRAM 的縮小進程，此進程自 2020 年推出 N5（5 納米）製程後便陷入停滯。 自 2020 年推出 N5 製程以來，SRAM 位元單元尺寸已維持在 0.021 µm² 左右近八年。然而，隨著 A14 的推出，高密度 6T SRAM（靜態隨機存取記憶體）位元單元的尺寸預計將縮小至低於 0.017 µm²。 韓國媒體指出，這將使 TSMC 領先於英特爾的 18A 製程；英特爾在去年 ISSCC 上報告其高密度位元單元尺寸為 0.021 µm²，SRAM 宏密度最高為 38.1 兆位/mm²。 SRAM 是用於 CPU、GPU 和 AI 加速器內部的超高速快取記憶體。更小的位元單元——最小的獨立記憶體單元——能讓更多記憶體容納於相同面積中，直接影響效能與功耗效率。 https://t.co/tYuy9jFUD4