關於台積電將進入記憶體市場並打亂三大記憶體製造商的說法 這說法毫無道理。據我所知，台積電已針對此專案研發超過五年，但若因此假設他們正在開發的是大眾化 DRAM，則是錯誤的。台積電沒有 DRAM IP、沒有 DRAM 專利，也沒有相關技術。 我認為「3D DRAM」這個詞是造成誤解的根源。 在與業界專家討論後，我認為對台積電進入 DRAM 市場的報導應如此理解： 台積電先前發表的研究成果，已清楚顯示其發展方向。 在 2025 年 VLSI 研討會上，台積電提出了一種基於氧化物半導體的記憶體技術，採用單晶體管單電容（1T1C）結構。其目標是將此記憶體整合至先進邏輯晶片中，為處理器提供低功耗、低延遲的快取記憶體。 此設計的關鍵特點在於，記憶體陣列直接建置於邏輯晶片的後段製程（BEOL）互連層中，而傳統 DRAM 則是作為獨立晶片製造。 為在先進邏輯晶片的互連層中建立記憶體陣列，台積電採用了氧化物半導體通道的選擇電晶體，並以低溫製程製作電容器。 根據台積電的說法，這款整合記憶體與邏輯於單一晶片的測試晶片，運作電壓為 0.75V，資料保持時間超過 128ms，隨機讀寫週期小於 8ns，耐久性高於 10¹⁴ 次。台積電將此技術定位為一種比 SRAM 具更高密度、同時保持低功耗與低延遲的處理器快取。 因此，台積電將生產 3D DRAM 作為下一代技術，用以取代 SRAM，且不會大量生產。 任何聲稱台積電將生產 DDR 或 LPDDR 的人，根本完全不了解狀況。