HBM 正在逐漸失去護城河？ 根據韓媒報導，英偉達下一代 NVHBM 將由自身主導邏輯設計，將記憶體控制器直接整合至基座晶粒，再交由台積電生產。 過去，三星、海力士、美光自行掌握 HBM 的設計、DRAM 製造、基座晶粒與堆疊封裝等所有環節。 如今，遊戲規則已被重寫：英偉達主導核心邏輯設計，台積電負責先進邏輯製造。 現在，三星、海力士、美光只能競爭 DRAM 良率、堆疊技術、散熱表現與量產能力。 本質上，它們的護城河正在變窄，不再由它們主導。 如今的 $NVDA 已不僅僅是購買 HBM，而是制定規則、主導 HBM 設計標準以滿足自身需求，掌握話語權。 至於台積電更不用說—— 本來已壟斷晶片代工與先進封裝，如今更開始將 HBM 基座晶粒納入掌控。 儲存產業的競爭規則持續變動，今日你是王者，下一世代技術出現，又可能重新洗牌。