台積電將於 2030 年在大規模生產中採用 ASML 高 NA EUV 光刻機

ChainCatcher 消息，台積電於 9 月 8 日宣布，將自 2030 年起在量產中採用荷蘭 ASML 製造的極端紫外線（EUV）光刻裝置新型「高 NA」機。雙方同日還表示，將開展行業橫斷的高 NA 機改良工作。ASML 壟斷供應用於形成奈米級超微細電路的 EUV 光刻機，並於 2023 年 12 月起開始出貨可描繪更細電路的高 NA 機。英特爾已引入高 NA 機，台積電此前因成本高等原因推遲量產採用。台積電與 ASML 將啟動行業橫斷項目，把作為電路原版的光掩模從目前的 6 英寸（約 15 厘米）方形大型化為 12 英寸方形，並開發對應大型掩模的高 NA 機及相關部件。計劃於 2031 年前設立大型掩模試製產線，2033 年前使對應大型掩模的高 NA 機達到可投入先進半導體生產的狀態。主要半導體製造商及掩模企業等已對參與表示興趣。高 NA 機可描繪更細電路，但單次可描繪面積減為傳統機型的一半，繪製大型晶片電路時需分多次曝光，工序複雜、成本上升。通過光掩模大型化可擴大曝光面積、降低成本。台積電董事長兼首席執行官魏哲家當日表示，將彙集全行業專業知識，持續推進使先進技術可廣泛使用的技术創新，並傳遞其益處。