SK 海力士正在迅速擴大其第六代 10nm 級 DRAM 工藝 1c nm 的產能份額。由於 1c DRAM 將作為核心晶片堆疊 HBM，並應用於下一代高頻寬記憶體，該公司正在加速其工藝轉型。據業內人士透露，SK 海力士 1c DRAM 的市場份額從今年第一季的約 10% 增長至第二季的 13% 左右，預計第三季將升至 24% 左右，第四季將達到 34% 左右。明年第一季，1c nm 的市場份額有望攀升至 35% 左右，首次超過 1b（33% 左右），成為主流工藝。（金十）
SK Hynix 的 1c nm DRAM 預計將於 2027 年初成為主流製程
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精華摘要
隨著 SK Hynix 的 1c nm DRAM 生產份額急劇上升，值得關注的山寨幣可能迎來動能。市場份額從第一季度的 10% 上升至第二季度的 13%，預計第三季度將達 24%，第四季度將達 34%。到 2027 年初，1c nm 工藝將超越 1b，成為主流，佔據 35% 的市場份額。隨著這一轉變的展開，恐懼與貪婪指數的波動可能反映科技與加密貨幣市場的整體情緒。
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