SK Hynix 推出用於邊緣 AI 儲存的 3D 堆疊 DRAM 研發

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AI summary icon精華摘要
SK Hynix 正推進用於邊緣 AI 儲存的 3D 堆疊 DRAM 研發，並與 MetaEra 合作。公司正在美國招聘設計工程師，並計劃與客戶共同開發此技術。這則鏈上新聞突顯了 AI + 加密貨幣新聞中的一個關鍵趨勢，因為這種堆疊記憶體將為後生成式 AI 時代的邊緣 AI 提供動力。該設計將記憶體直接堆疊在邏輯晶片上，旨在提升下一代 AI 裝置的效能。
ME AI 消息，SK 海力士正在加速開發被視為面向端側 AI 的下一代 DRAM 技術——3D 堆疊 DRAM。據悉，公司近期已啟動人才招聘計劃，並計劃與美國客戶合作，共同設計相關技術。3D 堆疊 DRAM 設計是一項下一代半導體技術，即將存儲晶片直接堆疊在邏輯半導體（系統半導體）之上。業內預計，在生成式 AI 之後的物理 AI 時代，這類技術將成為端側 AI 設備的核心半導體解決方案。SK 海力士近期正通過位於美國聖何塞的美洲法人招聘 3D 堆疊 DRAM 設計工程師，以推進相關技術研發。點擊下方原文連結，加入動察 Beating · 飛書 AI 新聞渠道，7×24 小時不間斷監測全球 AI 熱點與新聞。（來源：BlockBeats）
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