ChainCatcher 消息，SK 海力士於 9 日表示，下一代存儲器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日，該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 的主要技術方向，包括 DRAM 周邊電路採用邏輯代工工藝、最大化數據匯流排頻寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原本平面鋪設的存儲單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示，實現該技術除設計與發熱問題外，還需一併解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與存儲器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更為重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊，更是打破存儲器與邏輯邊界的技术；隨著器件微細化接近極限、系統與存儲器間數據移動帶來的時間與功耗增加，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正於致辭中稱，過去存儲器市場像比誰跑得更快的直線道路，現在則像時刻變化的彎道，除內部能力外，把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。
SK Hynix 探索使用晶圓代工工藝開發 3D DRAM
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精華摘要
SK Hynix 於 2026 年未來論壇上公布了 3D DRAM 的開發計畫，重點聚焦於周邊電路的晶圓代工製程、高速資料匯流排連結與超短傳輸。挑戰包括細微互連與鍵合技術。孫浩英表示，3D 技術正模糊晶圓與封裝之間的界線，推動符合 CFT 標準的新協作模式。申教授指出，3D DRAM 可透過連結人工智慧、材料與架構，提升風險資產表現。
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