Odaily星球日報訊 SK 海力士與閃迪公開基於 NAND 閃存的下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF）首個標準規格。SK 海力士於 8 月 4 日至 6 日在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上提出該規格。
HBF 透過類似高頻寬記憶體（HBM）的垂直堆疊方式堆疊 NAND 閃存，以提升容量和資料傳輸速度。該規格定義了 8 層和 16 層 NAND die 兩種堆疊配置，容量最高達 512GB，頻寬分為三檔，支援每秒 0.4TB 至 3.0TB。
HBF 採用行業標準 UCIe 連接方式，可連接 GPU、CPU 等不同類型的處理器。該規格已由開放數據中心技術協作組織 OCP 公開，HBF 聯盟目前包括 Google 和 AI 半導體公司 Tenstorrent。
SK 海力士還將在本活動中首次公開開發中的第 10 代（V10）375 層 4D NAND 晶圓和產品，並計劃於明年初啟動採用該技術的高性能、高容量企業級 SSD（eSSD）量產。