SK Hynix 與 SanDisk 推出 HBF 標準，以解決 AI 記憶體瓶頸

火星財經訊，8 月 4 日，據 SK 海力士新聞室於 8 月 4 日發布的新聞稿 PDF，SK 海力士與閃迪透過 OCP 發布了 HBF（High Bandwidth Flash，高頻寬閃存）首個標準規範，並於美國加州聖克拉拉舉行的 FMS 2026 上展示相關 AI 記憶體解決方案。HBF 被定位為介於 HBM 與 SSD 之間的新型存儲層。根據 SK 海力士的說法，HBF 希望借助 NAND 技術提供更大容量，同時實現接近 HBM 的高速資料傳輸能力，以應對 AI 推理擴張所帶來的「記憶體牆」。首版標準涵蓋最高 512GB 容量，基於 8 層與 16 層 NAND die 堆疊，頻寬分為三個等級，約為 0.4TB/s 至 3.0TB/s。互連方面採用 UCIe，意味著未來可與 GPU、CPU 等處理器更靈活整合。 此項發布正值記憶體股行情大幅震盪之際。7 月 AI 存儲交易急劇降溫，《巴倫週刊》報導稱，閃迪與美光當月分別大跌約 47% 與 29%，Roundhill Memory ETF 下挫約 32%。但進入 8 月後，晶片股情緒開始修復，PHLX 半導體指數週一上漲逾 1%，英偉達上漲近 3%，美光與閃迪亦出現反彈。市場一方面擔憂前期估值過熱，另一方面持續尋找 AI 基礎設施需求未見降温的證據。 從這個角度看，HBF 標準的意義不僅僅是一項新品發布。它指向 AI 基礎設施的下一階段：算力叢集不再僅比拼 GPU 數量，記憶體頻寬、容量、能耗與資料搬運效率亦將成為系統效能瓶頸。SK 海力士與閃迪選擇透過 OCP 公開標準，亦是為了推動 HBF 成為開放生態，而非單一廠商規格。Google 與 Tenstorrent 已參與 HBF 聯盟，SK 海力士還將於 FMS 期間與 Google DeepMind、閃迪共同討論如何利用 HBF 突破記憶體瓶頸。 新聞稿還披露，SK 海力士首次公開展示第十代 375 層 4D NAND 晶圓及產品，稱每瓦效能較上一代提升 2.5 倍，並計劃於明年初量產基於此技術的高性能、高容量 eSSD。這對近期被交易員反覆定價的企業級 SSD、NAND 湧價與 AI 數據中心存儲需求，均是新的基本面素材。