ME News 消息，9 月 7 日（UTC+8），SK 海力士正在加快提升 10 納米級第六代（1c）DRAM 的生產占比。業內人士稱，SK 海力士下半年加速轉換，第四季可能以約 34% 超過三星電子的約 31%。SK 海力士在第二季業績電話會議上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自第二季起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約為 11.7Gbps；SK 海力士此前優先以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝確保量產穩定性，並自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心晶片。Counterpoint Research 等機構預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下的 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。（來源：ChainCatcher）
SK Hynix 加速 1c DRAM 生產，預計於第四季超越三星
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精華摘要
SK Hynix 正在提升 10nm 級 1c DRAM 的產能，據消息稱，其市佔率有望在第四季超越三星的 31%，達到 34%。此舉與日益受到關注的山寨幣趨勢相符，因記憶體需求持續上升。SK Hynix 表示，1c DRAM 的出貨已於第二季開始，產量將隨下半年 HBM4 的出貨而增加。三星採用 1c 技術於 HBM4，速度為 11.7Gbps，而 SK Hynix 則專注於 1b DRAM 及 MR-MUF 封裝以確保穩定性。Counterpoint 預測，至 2026 年，SK Hynix 將取得 HBM4 市場中段 50% 的市佔率。隨著恐懼與貪婪指數上揚，此類半導體動向正塑造加密貨幣與科技投資者的情緒。
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