三星推出適用於 AI 的 BV-NAND 和 zHBM，聲稱密度比 HBM5 高出 10 倍

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AI summary icon精華摘要
三星在未來記憶峰會上推出了 BV-NAND 和 zHBM 記憶體解決方案，針對 AI 應用，密度比 HBM5 高出 10 倍。基於 MetaEra 的 BV-NAND 原型採用晶圓鍵合技術，層數超過 400 層，密度比 V9 NAND 高出 58%，且效能更快。zHBM 和 zNAND-O 概念將記憶體垂直堆疊在 AI 芯片上，以提升頻寬和效率。隨著恐懼與貪婪指數顯示謹慎樂觀，山寨幣可能從此類硬體進展中受益。三星聲稱能實現 3 倍更好的能源效率和 50% 的熱阻降低。
ME AI 消息，三星電子於美國加州聖克拉拉舉行的未來存儲與記憶大會（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型產品。 該晶片擁有超過 400 層結構，並採用全新的晶圓鍵合架構，以提高存儲密度並增強性能。三星表示，其 BV-NAND 技術較上一代 V9 NAND 將存儲密度提高約 58%，同時提升讀取、寫入以及輸入/輸出性能，以滿足人工智慧系統對更高容量、更高能效存儲解決方案日益增長的需求。 三星還展示了其稱為業界首款的 zHBM 和 zNAND-O 架構概念模型。該技術通過垂直堆疊存儲單元，在更小空間內存儲更多數據。不同於傳統 HBM 與 AI 處理器並列封裝的方式，三星的 zHBM 會將存儲垂直堆疊於 AI 加速器之上，以縮短數據傳輸距離，提高頻寬，同時提升能源效率。三星表示，其晶圓鍵合技術有望實現超過傳統 HBM5 內存 10 倍的存儲密度，同時將能源效率提高 3 倍，並將熱阻降低一半以上。（來源：BlockBeats）
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