ChainCatcher 消息，據首爾經濟報導，三星電子計劃明年將第六代高帶寬存儲器 HBM4 與第七代 HBM4E 等 HBM4 系列的產量較今年至少擴大一倍以上。该公司擬將 HBM 所需 DRAM 薄化加工所用的玻璃載體外協清洗量，由今年每月 2 萬片增至明年每月 5 萬片，較今年增加 2.5 倍。去年該載體月需求約 1 萬片，今年已較去年翻倍。三星電子重點擴產的 HBM4 與 HBM4E 以 12 層及以上高堆疊產品為主。该公司今年 2 月開始量產出貨採用第六代 10 納米級（1c）DRAM 與 4 納米工藝基底晶片的 HBM4，5 月向英偉達等客戶提供 HBM4E 12 層樣品。業界預計，以月均晶圓投入計，三星電子 HBM 產能將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片，增幅近 40%；HBM4 系列出貨佔比或由今年約 40% 升至明年約 80%。
三星將於 2025 年將 HBM4 系列產能增加一倍
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精華摘要
三星將於 2025 年提升 HBM4 和 HBM4E 的產能，較 2024 年水平倍增。該公司還將把 HBM DRAM 減薄所需的玻璃載體清洗外包量，從每月 20,000 片提升至 50,000 片。HBM4 的大規模生產始於 2024 年 2 月，HBM4E 樣品已於 5 月送交 NVIDIA。預計 2025 年 HBM 晶圓投入量將增至每月 250,000 片，HBM4 系列出貨量有望佔總產量的 80%。此更新帶來了半導體供應鏈最新發展的加密貨幣新聞。
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