三星電子相信，有史以來最昂貴的晶片製造機器將為其在記憶體競爭中帶來決定性優勢。該公司於2026年9月8日宣布與ASML加強戰略合作，承諾於2028年前在DRAM大規模生產中部署High-NA EUV光刻技術。
如果三星達成該目標，這將是首家晶片製造商在 DRAM 領域使用 High-NA EUV 技術。
什麼是 High-NA EUV
EUV 光刻技術，或稱極紫外光光刻，是一種利用波長僅為 13.5 納米的光線，在矽晶圓上印製極其微小電路圖案的技術。「高 NA」指的是透鏡系統的數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，使機器能夠以更高的解析度印製更細緻的圖案。
DRAM 的實際優勢：製造步驟更少、電路圖案更精密、效率更高。高數值孔徑 EUV 技術實現單次曝光功能，簡化了舊款 EUV 設備所需的複雜多重圖案化流程。
這些機器並非便宜之物。每台高數值 EUV 設備的價格介於 $3.5 億至 $4 億之間。
12 英寸光罩位移
除了宣佈承諾使用 EUV 外，三星還將參與 ASML 主導的計劃，開發 12 英寸光罩，以取代數十年來作為行業標準的 6 英寸格式。
光罩本質上是用於將電路設計轉印到矽晶圓上的模板。轉向 12 英吋光罩預計可將製造生產力提升約 40%。
為何先於邏輯晶片使用 DRAM
该公司計劃直到約 2030 年才在邏輯和晶圓代工業務中使用高數值孔徑 EUV，屆時預計將達到 1nm 級節點。然而，其針對 DRAM 的目標年份為 2028 年。
三星執行長尹鍾鈞以明確的 AI 中心觀點闡述了這項合作，表示在 AI 時代，整個晶片價值鏈的技術創新至關重要。
這對半導體領域意味著什麼
三星的公告給其他兩家DRAM寡頭企業——SK海力士和美光科技——帶來了壓力，這三家公司共同掌控了全球絕大部分的DRAM供應。對於ASML而言，這項合作驗證了其最先進產品線的商業可行性。ASML是全球唯一供應EUV光刻設備的公司。
台積電正目標於 2030 年推出類似的先進節點，而英特爾已啟動 High-NA EUV 技術的有限應用。對於追蹤半導體供應鏈的投資者而言，關鍵的觀察指標並非公告本身，而是三星未來兩年的資本支出趨勢。High-NA EUV 設備的訂單、設施升級和光罩開發支出，都將作為判斷 2028 年目標是否按計劃推進的先行指標。