ChainCatcher 消息，9 月 10 日，三星電機封裝事業部課長金相勳於仁川松島會議中心舉行的 KPCA Show 國際研討會 INSIGHT 2026 上發表演講，提出應對 AI 半導體封裝基板大型化、高多層化的多層核心（MLC）技術方向。金相勳表示，過往透過增加單張 CCL 厚度的單層核心（SLC）方式，隨核心增厚會導致內部過孔和電路加工難度上升、過孔尺寸縮小受限。MLC 轉向 CCL 與 PPG 多層組合甚至兩張 CCL 的混合結構，可同時提升剛性與布線自由度，並在 PPG 層佈置地線或信號布線。兩張 CCL 中間加接合層能更穩定支撐基板，但工藝更複雜。當前量產常用凸點間距 90μm 以上，85μm 左右為印刷微細焊球工藝拐點，80μm 附近難度顯著上升，55–45μm 級可能轉向金屬凸點。玻璃核心作為另一選項，剛性更高、熱膨脹係數更低，有助於減少大型封裝翹曲，但需解決易碎處理和微孔鍍覆技術。基板需同時滿足信號完整性、電源完整性和機械完整性，高性能封裝基板層數將從約 20 層、90mm 級向 120mm 級乃至 40 層以上發展。
三星電機提出用於 AI 半導體基板的多層陶瓷複合方向
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精華摘要
三星電機封裝部門經理金相勳在仁川舉行的KPCA展會上，提出將多層核心（MLC）作為AI半導體基板的發展方向。傳統的單層核心方法在通孔尺寸和加工方面存在限制，而MLC則能提供更好的剛性與佈線靈活性。目前的凸塊間距為90μm或更高，85μm和80μm則是關鍵的工藝門檻。玻璃核心替代方案面臨易碎和微通孔電鍍等挑戰。高性能基板預計將達到120mm以上，並超過40層。此AI + 加密貨幣新聞更新聚焦半導體封裝領域的鏈上新聞動態。
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