三星為 NVIDIA 的 NVHBM 開發 8 層 HBM4E，旨在建立核心合作關係

ChainCatcher 消息，據首爾經濟報導，三星電子正開發符合英偉達要求的 HBM4E（第七代）8 層產品，以爭取成為其定制高帶寬存儲器 NVHBM 的核心供應商。該產品的堆疊高度低於原計劃的 12 層和 16 層，英偉達提出的速度規格為 17–18 Gbps，較三星初期 HBM4E 樣品速度（14.4 Gbps）高出約 20%，將用於英偉達公開的 NVLink 優化規格的 NVHBM。採用 8 層設計與以往透過增加堆疊層數提升容量的 HBM 競爭邏輯相反，可降低後段製程難度與良率壓力，有利於擴大供應，被視為英偉達緩解記憶體短缺的策略。NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU「Rubin Ultra」開始應用，該 GPU 將 GPU 間連接規模從最多 72 個擴大至 576 個，透過搭載更快 HBM 的數百個 GPU 協同提升整體算力。在定制 HBM 市場，三星相較 SK 海力士和美光更具競爭力，因為 NVHBM 需要 DRAM 與基於邏輯晶片的基裸片設計生產能力，而三星可一體化應對。業界人士表示，三星已在 HBM4 上驗證業界最高水平的速度，可在速度競爭中發揮優勢。